| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市大时代电子有限公司1年
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NXP/恩智浦SOT-23 |
260 |
12+ |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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NXP/恩智浦NA/ |
230 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
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NXPSOT-23 |
7515 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
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NXP |
35200 |
21+ |
一级代理/放心采购 |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
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NXP/恩智浦NA |
6000 |
2021/2022+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
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仙童SOT-23 |
3000 |
1912 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
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PHILIPS/飞利浦SOT23 |
100 |
23+ |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
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NXP/恩智浦SOT-23 |
9852 |
1937+ |
只做进口原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
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NXP/恩智浦SOT-23 |
300 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市润联芯城科技有限公司1年
留言
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CCSEMI/芯能圆SOT-23 |
50000 |
23+ |
原装正品 支持实单 |
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深圳兆威电子有限公司5年
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NEXPERIASOT-23 |
90000 |
20+ |
全新原装正品/库存充足 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
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NXPSOT23 |
30764 |
21+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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PHILIPS/飞利浦SOT-23 |
90000 |
23+ |
只做原装 全系列供应 价格优势 可开增票 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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CCSSOT-23 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
留言
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NXPSOT-23 |
700000 |
2023+ |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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NXP |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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PHILIPSSOT23 |
8000 |
22+ |
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原装正品支持实单 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
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NXP恩智浦/PHILIPS飞利浦SOT-23 |
6200 |
2008++ |
新进库存/原装 |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
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NXP(恩智浦)标准封装 |
6000 |
22+ |
正规渠道,只有原装! |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
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NXP(恩智浦)N/A |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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BFR30,215价格
BFR30,215价格：￥0.4516品牌：NXP
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BFR30中文资料Alldatasheet PDF
更多BFR30功能描述:PLASTIC-CASE JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTORS
BFR30 T/R功能描述:射频双极小信号晶体管 N-CH 25V 10mA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
BFR30,215功能描述:JFET N-CH 25V 10mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel
BFR30,235功能描述:射频JFET晶体管 N-Channel Single ’+/- 25V 10mA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel
BFR30LT1功能描述:射频JFET晶体管 25V 10mA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel
BFR30LT1/D功能描述:JFET Amplifier
BFR30LT1G功能描述:射频JFET晶体管 25V 10mA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel
BFR30T/R功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 25V V(BR)DSS | 4MA I(DSS) | SOT-23
