BFG25A分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BFG25A |
| 参数属性 | BFG25A 封装/外壳为SOT-343 反向插针；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频；产品描述：RF TRANS NPN 5V 5GHZ 4SO |
| 功能描述 | NPN 5 GHz wideband transistor |
| 文件大小 |
289.38 Kbytes |
| 页面数量 |
12 页 |
| 生产厂商 | NXP Semiconductors |
| 企业简称 |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名称 | 恩智浦半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-3 22:30:00 |
BFG25A规格书详情
DESCRIPTION
NPN silicon wideband transistor in a four-lead dual emitter SOT143B plastic package (cross emitter).
FEATURES
• Low current consumption (100 µA to 1 mA)
• Low noise figure
• Gold metallization ensures excellent reliability.
APPLICATIONS
• RF low power amplifiers, such as pocket telephones, paging systems, with signal frequencies up to 2 GHz.
BFG25A属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。恩智浦半导体公司制造生产的BFG25A晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
产品属性
- 产品编号：
BFG25AW/X,115
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
5V
- 频率 - 跃迁：
5GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.9dB ~ 2dB @ 1GHz
- 功率 - 最大值：
500mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 500µA，1V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
6.5mA
- 工作温度：
175°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SOT-343 反向插针
- 供应商器件封装：
4-SO
- 描述：
RF TRANS NPN 5V 5GHZ 4SO
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP |
2020+ |
SOT143 |
80000 |
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询价 | ||
NXP/恩智浦 |
23+ |
SOT143 |
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PHILIPS/飞利浦 |
SOT-343 |
3000 |
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NXP |
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PHILIPS |
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SOT-143 |
23+ |
NA |
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NXP |
22+ |
SOT143 |
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PHILIPS/飞利浦 |
23+ |
NA/ |
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NXP(恩智浦) |
23+ |
NA |
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NXP |
23+ |
SOT343 |
7750 |
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询价 |
