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BF999分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

BF999
厂商型号

BF999

参数属性

BF999 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为托盘;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:MOSFET N-CH 20V 30MA SOT-23

功能描述

Silicon N-Channel MOSFET Triode
MOSFET N-CH 20V 30MA SOT-23

文件大小

133.96 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

Infineon英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-5 15:30:00

BF999规格书详情

Silicon N-Channel MOSFET Triode

For high-frequency stages up to 300 MHz preferably in FM applications

BF999属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。英飞凌科技公司制造生产的BF999晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

产品属性

  • 产品编号:

    BF999E6433HTMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    N 通道

  • 频率:

    45MHz

  • 增益:

    27dB

  • 额定电流(安培):

    30mA

  • 噪声系数:

    2.1dB

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    PG-SOT23

  • 描述:

    MOSFET N-CH 20V 30MA SOT-23

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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