BF998WR资料datasheet下载批发采购恩智浦-114ic电子网

首页 >BF998WR>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
BF998WR	文件：94.6 Kbytes Page：12 Pages	N-channel dual-gate MOS-FET DESCRIPTION Depletiontypefield-effecttransistorinaplasticmicrominiatureSOT343Rpackagewithsourceandsubstrateinterconnected.Thetransistorisprotectedagainstexcessiveinputvoltagesurgesbyintegratedback-to-backdiodesbetweengatesandsource. FEATURES •Highforward	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF998WR	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RF Manual 16th edition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BF998WR	文件：82.78 Kbytes Page：12 Pages	N-channel dual-gate MOS-FET	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司	JMNIC
BF998WR_15	文件：82.78 Kbytes Page：12 Pages	N-channel dual-gate MOS-FET	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司	JMNIC
BF998WR_2015	文件：82.78 Kbytes Page：12 Pages	N-channel dual-gate MOS-FET	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司	JMNIC
BF998WR,115	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：SC-82A，SOT-343 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：MOSFET N-CH 12V 30MA SOT343R	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
AS998	文件：30.91 Kbytes Page：6 Pages	ICintendedforuseasaPWMcontroller	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
BF998	文件：180.2 Kbytes Page：8 Pages	SiliconNChannelMOSFETTetrode(Short-channeltransistorwithhighS/CqualityfactorForlow-noise,gain-controlledinputstagesupto1GHz) Features ●Short-channeltransistorwithhighS/Cqualityfactor ●Forlow-noise,gain-controlledinputstagesupto1GHz	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BF998	文件：249.05 Kbytes Page：6 Pages	SiliconN-ChannelMOSFETTetrode SiliconN_ChannelMOSFETTetrode •Short-channeltransistorwithhighS/Cqualityfactor •Forlow-noise,gain-controlledinputstageupto1GHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BF998	文件：114.27 Kbytes Page：12 Pages	SiliconN-channeldual-gateMOS-FETs	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF998	文件：155.83 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode Features •Integratedgateprotectiondiodes •Lownoisefigure •Lowfeedbackcapacitance •Highcrossmodulationperformance •Lowinputcapacitance •HighAGC-range •Highgain •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BF998	文件：318.61 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BF998	文件：93.08 Kbytes Page：9 Pages	SiliconN_ChannelMOSFETTetrode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BF998	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BF998A	文件：155.83 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode Features •Integratedgateprotectiondiodes •Lownoisefigure •Lowfeedbackcapacitance •Highcrossmodulationperformance •Lowinputcapacitance •HighAGC-range •Highgain •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BF998A	文件：318.61 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BF998B	文件：155.83 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode Features •Integratedgateprotectiondiodes •Lownoisefigure •Lowfeedbackcapacitance •Highcrossmodulationperformance •Lowinputcapacitance •HighAGC-range •Highgain •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BF998R	文件：33.45 Kbytes Page：2 Pages	SiliconN-ChannelMOSFETTetrode(Short-channeltransistorwithhighS/Cqualityfactor)	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BF998R	文件：114.27 Kbytes Page：12 Pages	SiliconN-channeldual-gateMOS-FETs	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF998R	文件：155.83 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode Features •Integratedgateprotectiondiodes •Lownoisefigure •Lowfeedbackcapacitance •Highcrossmodulationperformance •Lowinputcapacitance •HighAGC-range •Highgain •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

12 3 4 >>>

详细参数

型号：
BF998WR
制造商：
PHILIPS
制造商全称：
NXP Semiconductors
功能描述：
N-channel dual-gate MOS-FET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市博浩通科技有限公司	BF998WR	PHILIPS	23+	SOT-343	31000	全新原装现货	询价
深圳市振宏微科技有限公司	BF998WR	SOT-343	23+	NA	15659	振宏微专业只做正品,假一罚百!	询价
深圳兆威电子有限公司	BF998WR	VISHAY	23+	SOT-343	63000	原装正品现货	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	BF998WR	PHI	20+	SOT343	36200	全新原装现货/放心购买	询价
艾睿国际（香港）有限公司	BF998WR	PHILIPS/飞利浦	2021+	SOT-343	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
深圳市宇创芯科技有限公司	BF998WR	VISHAY/威世	22+	SOT-343	9600	原装现货,优势供应,支持实单!	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	BF998WR	NXP/恩智浦	23+	SOT-343	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳廊盛科技有限公司	BF998WR	NXP/恩智浦	2022	SOT-343	80000	原装现货,OEM渠道,欢迎咨询	询价
深圳市汇莱威科技有限公司	BF998WR		PHI	SOT343	68900	原包原标签100%进口原装常备现货!	询价
深圳市环球伟业电子有限公司	BF998WR	PHI		SOT343	3078	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价

更多BF998WR供应商更新时间2024-6-14 17:33:00

详细参数

相关规格书

相关库存