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BF994S分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

BF994S
厂商型号

BF994S

参数属性

BF994S 封装/外壳为TO-253-4,TO-253AA;包装为托盘;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B

功能描述

RF Manual 16th edition
MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B

文件大小

9.37507 Mbytes

页面数量

130

生产厂商 NXP Semiconductors
企业简称

nxp恩智浦

中文名称

恩智浦半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-7 23:26:00

BF994S规格书详情

General description

10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz.

Features and benefits

■ High efficiency

■ Excellent ruggedness

■ Designed for broadband operation

■ Excellent thermal stability

■ High power gain

■ Integrated ESD protection

■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)

Applications

■ CDMA

■ W-CDMA

■ GSM EDGE

■ MC-GSM

■ LTE

■ WiMAX

BF994S属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。恩智浦半导体公司制造生产的BF994S晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

产品属性

  • 产品编号:

    BF994S,215

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    N 通道双门

  • 频率:

    200MHz

  • 增益:

    25dB

  • 额定电流(安培):

    30mA

  • 噪声系数:

    1dB

  • 封装/外壳:

    TO-253-4,TO-253AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-143B

  • 描述:

    MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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