BF908WR分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
厂商型号 |
BF908WR |
参数属性 | BF908WR 封装/外壳为SC-82A,SOT-343;包装为托盘;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:MOSFET NCH DUAL GATE 12V CMPAK-4 |
功能描述 | RF Manual 16th edition |
文件大小 |
9.37507 Mbytes |
页面数量 |
130 页 |
生产厂商 | NXP Semiconductors |
企业简称 |
nxp【恩智浦】 |
中文名称 | 恩智浦半导体公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-5-31 20:00:00 |
BF908WR规格书详情
General description
10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz.
Features and benefits
■ High efficiency
■ Excellent ruggedness
■ Designed for broadband operation
■ Excellent thermal stability
■ High power gain
■ Integrated ESD protection
■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)
Applications
■ CDMA
■ W-CDMA
■ GSM EDGE
■ MC-GSM
■ LTE
■ WiMAX
BF908WR属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。恩智浦半导体公司制造生产的BF908WR晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
- 产品编号:
BF908WR,115
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
N 通道双门
- 频率:
200MHz
- 额定电流(安培):
40mA
- 噪声系数:
0.6dB
- 封装/外壳:
SC-82A,SOT-343
- 供应商器件封装:
CMPAK-4
- 描述:
MOSFET NCH DUAL GATE 12V CMPAK-4
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP/恩智浦 |
23+ |
SOT343 |
54258 |
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询价 | ||
NXP |
21+ |
CMPAK4 |
13880 |
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询价 | ||
PHILIPS |
0405+ |
SOT343 |
960 |
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PHILIPS |
21+ |
SOT343 |
1990 |
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SOT-343 |
23+ |
NA |
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NXP(恩智浦) |
23+ |
NA |
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PHILIPS |
22+ |
SOT343 |
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NXP(恩智浦) |
23+ |
标准封装 |
6000 |
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NXPSemiconductors |
07+/08+ |
115 |
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NXP(恩智浦) |
23+ |
N/A |
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