| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司7年
留言
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NXP/恩智浦SOT-363 |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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NXP/恩智浦SOT363 |
12000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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NXP/恩智浦SOT363 |
8550 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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NXP/恩智浦SOT363 |
7906200 |
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深圳市钦宇承科技有限公司2年
留言
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NXP/恩智浦SOT363 |
12000 |
07+ |
只做原装/假一赔百 |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
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NXPSOT-363 |
16000 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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NXPSOT-363 |
8650 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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深圳市凌特半导体科技有限公司2年
留言
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NXP/原装SOT363 |
12000 |
原装现货,长期供应,终端账期支持 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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NXP/恩智浦SOT363 |
51000 |
1833+ |
原装现货!天天特价!随时可以货! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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NXPSOT363 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市宝芯创电子有限公司9年
留言
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PHILIPSSOT363 |
26496 |
05+ |
进口原盘现货/3K |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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NXPSOT363 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司6年
留言
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NXP/恩智浦NA/ |
12000 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳硅原半导体有限公司8年
留言
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PHILIPS/飞利浦SOT-363 |
29403 |
0535+ |
原盒原标,正品现货 诚信经营 价格美丽 假一罚十 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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NXP/恩智浦SOT-363 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市赛恒电子科技有限公司3年
留言
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PHILIPS/飞利浦SOT-363 |
6688 |
21+ |
十年老店,原装正品 |
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深圳市瑞卓芯科技有限公司10年
留言
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NXP/恩智浦SOT-363 |
30000 |
22+ |
原装正品 |
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深圳市英瑞尔电子科技有限公司11年
留言
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NXPSOT363 |
64580 |
24+ |
原装现货假一赔十 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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PHILIPS/飞利浦SOT363 |
10880 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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NXP/恩智浦SOT363 |
50000 |
22+ |
只做正品原装,假一罚十,欢迎咨询 |
BF1206采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
BF1206图片
BF1206中文资料Alldatasheet PDF
更多BF1206功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel
BF1206,115功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel
BF1206115制造商:Rochester Electronics LLC 制造商:NXP Semiconductors
BF1206F制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Dual N-channel dual gate MOSFET
BF1206F,115功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 Dual N-Channel 6V 30mA 180mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel
