选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
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NXP USA Inc.SOT-143R |
9350 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
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NXPNA |
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BF1201R,215图片
BF1201R,215中文资料Alldatasheet PDF
更多BF1201R,215功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 Dual N-Channel 10V 30mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS(导通): 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel
产品属性
- 产品编号:
BF1201R,215
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
N 通道双门
- 频率:
400MHz
- 增益:
29dB
- 额定电流(安培):
30mA
- 噪声系数:
1dB
- 封装/外壳:
SOT-143R
- 供应商器件封装:
SOT-143R
- 描述:
MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT143R