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BDY55X

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION •ExcellentSafeOperatingArea •DCCurrentGain-:hFE=20-100@IC=4A •Collector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.1V(Max)@IC=4A APPLICATIONS •Designedforgeneral-purposeswitchingandamplifierapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

BDY55X

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3

SEME-LAB

Seme LAB

详细参数

  • 型号:

    BDY55X

  • 功能描述:

    NPN

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多BDY55X供应商 更新时间2024-6-18 11:09:00