选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
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Infineon(英飞凌)SOT-223 |
17048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市诚利顺电子科技有限公司17年
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INFINEONSOT-223 |
6850 |
22+ |
十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售! |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
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INFINEON/英飞凌SOT-223 |
100586 |
23+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市英科美电子有限公司9年
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INFINEON/英飞凌SOT-23 |
18131 |
2021+ |
原装进口假一罚十 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
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InfineonSOT223-4 |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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INFINEON/英飞凌SOT-223 |
1000 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
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INFINEON/英飞凌SOT-223 |
25000 |
23+ |
全新原装现货,假一赔十 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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INFINEON/英飞凌SOT223 |
7906200 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
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Infineon(英飞凌)SOT-223 |
21316 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
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INFINEONSOT-223 |
15800 |
22+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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InfineonSOT223-4 |
47000 |
21+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
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INFINEON/英飞凌SOT223 |
78550 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳市佳杰伟业科技有限公司12年
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INFINEON/英飞凌SOT223 |
3668 |
2316+ |
优势代理渠道,原装现货,可全系列订货 |
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深圳市长旗科技有限公司1年
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INFINEONSOT223-4 |
13200 |
23+ |
原装进口、正品保障、合作持久 |
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深圳市正纳电子有限公司8年
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INFINEON/英飞凌SOT223 |
23600 |
21+ |
十年以上分销商原装进口件服务型企业0755-83790645 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-223 |
35000 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEONSOT223 |
48000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市宇集芯电子有限公司5年
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英飞凌/INFINEONSOT-223 |
163000 |
24+ |
一级代理商现货保证进口原装正品假一罚十价格合理 |
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深圳市毅创辉电子科技有限公司3年
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13000 |
23+ |
15年原装正品企业 |
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深圳市科思奇电子科技有限公司7年
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INFINEON/英飞凌SOT-223 |
3000 |
20+ |
支持实单/原盒/原包/原标/进口原装 |
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BDP948E6433价格
BDP948E6433价格:¥1.6227品牌:Infineon
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BDP950资讯
BDP948 原装正品
型号BDP948材料硅(Si)封装形式SOT223
BDP950中文资料Alldatasheet PDF
更多BDP 947 E6327功能描述:两极晶体管 - BJT Silicn NPN TRANSISTR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BDP 947 E6327XT制造商:Infineon Technologies 功能描述:Trans GP BJT NPN 45V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
BDP 947 H6327功能描述:两极晶体管 - BJT AF TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BDP 948 E6327功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Silicon AF Power TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BDP 948 E6433功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Silicon AF Power TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BDP 948 H6327功能描述:两极晶体管 - BJT AF TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BDP 948 H6433功能描述:两极晶体管 - BJT AF TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BDP 949 E6327功能描述:两极晶体管 - BJT Silicn NPN Transistr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BDP 949 H6327功能描述:两极晶体管 - BJT AF TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BDP 950 E6327功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Silicon AF Power TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2