| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
留言
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STTO-220 |
700000 |
2023+ |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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STTO-220 |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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ST/意法TO-220 |
17 |
23+ |
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深圳芯力源电子科技有限公司2年
留言
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N/ASOP-8 |
5177 |
23+ |
现货 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司6年
留言
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ST/意法NA/ |
3267 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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STTO-TO-220 |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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ST/意法TO-220 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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ST/意法TO-220 |
50000 |
22+ |
只做原装假一罚十,欢迎咨询 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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ISCNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市恒创达实业有限公司11年
留言
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STTO-220 |
6200 |
17+ |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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ST/意法TO-220 |
97908 |
22+ |
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无锡固电半导体股份有限公司4年
留言
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iscTO-126/252/263 |
4750 |
2024 |
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国产品牌isc,可替代原装 |
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深圳市华芯源电子有限公司5年
留言
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ST/意法TO-220 |
97908 |
22+ |
终端免费提供样品 可开13%增值税发票 |
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深圳市德创芯微科技有限公司1年
留言
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STTO-220 |
17 |
1821+ |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ST |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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BOURNSNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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POWERTO-220 |
18000 |
22+ |
绝对全新原装现货 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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STTO-220 |
38560 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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STTO-220 |
70230 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市一线半导体有限公司15年
留言
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POWERTO-220-3 |
8866 |
08+(pbfree) |
BD743采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
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BD743中文资料Alldatasheet PDF
更多BD743功能描述:两极晶体管 - BJT 90W NPN Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD743A功能描述:两极晶体管 - BJT 90W NPN Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD743A-S功能描述:两极晶体管 - BJT 60V 15A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD743B功能描述:两极晶体管 - BJT 90W NPN Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD743B-S功能描述:两极晶体管 - BJT 80V 15A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD743C功能描述:两极晶体管 - BJT 90W NPN Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD743C(PI)功能描述:TRANSISTOR LEISTUNGS BIPOLAR
BD743C-S功能描述:两极晶体管 - BJT POWER TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD743-S功能描述:两极晶体管 - BJT 45V 15A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
50V
- 最大电流允许值：
15A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BD545,BD705,BD905,3DK108C,
- 最大耗散功率：
90W
- 放大倍数：
- 图片代号：
B-10
- vtest：
50
- htest：
999900
- atest：
15
- wtest：
90
