BD682TG分立半导体产品晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
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| 厂商型号 |
BD682TG |
| 参数属性 | BD682TG 封装/外壳为TO-225AA，TO-126-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个；产品描述：TRANS PNP DARL 100V 4A TO126 |
| 功能描述 | Plastic Medium-Power Silicon PNP Darlingtons |
| 文件大小 |
87.44 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | ON Semiconductor |
| 企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
| 中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-5-23 18:56:00 |
BD682TG规格书详情
BD682TG属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个。安森美半导体公司制造生产的BD682TG晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
产品属性
- 产品编号：
BD682TG
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
PNP - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2.5V @ 30mA，1.5A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
500µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 1.5A，3V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
- 供应商器件封装：
TO-126
- 描述：
TRANS PNP DARL 100V 4A TO126
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
1738+ |
TO-126 |
8529 |
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询价 | ||
ST/意法 |
2022 |
TO126 |
80000 |
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ST/意法 |
23+ |
TO-126 |
90000 |
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询价 | ||
POWER |
2022+ |
TO-126 |
57550 |
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PH |
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NA |
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ST |
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PHLIPS |
1318+ |
TO126 |
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ON/安森美 |
22+ |
TO-126 |
98709 |
询价 | |||
ON |
08+(pbfree) |
TO-225 |
8866 |
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ON |
2023+ |
TO-126 |
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