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BD676G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP DARL 45V 4A TO126	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
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676	文件：421.58 Kbytes Page：4 Pages	횠8.1mmmountingBlackanodisedaluminiumhousing	MARL Marl International Ltd
676	文件：40.85 Kbytes Page：1 Pages	AxialLeadandCartridgeFuses-CeramicBody	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司
676M	文件：60.27 Kbytes Page：4 Pages	HYFIRE7CCONTROLUNIT	MALLORY Mallory Sonalert Products Inc.
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ARF676	文件：43.23 Kbytes Page：4 Pages	FASTRECOVERYDIODE FASTRECOVERYDIODE Repetitivevoltageupto4800V Meanforwardcurrent1515A Surgecurrent18kA	POSEICO Power Semiconductors

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产品属性

产品编号：
BD676G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2.5V @ 30mA，1.5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
500µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 1.5A，3V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
TO-126
描述：
TRANS PNP DARL 45V 4A TO126

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更多BD676G供应商更新时间2024-4-27 23:00:00

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