首页>BD649>规格书详情

BD649中文资料PDF规格书

BD649
厂商型号

BD649

参数属性

BD649 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN DARL 100V 8A TO220

功能描述

NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTORS

文件大小

125.89 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Siemens Ltd
企业简称

SIEMENS

中文名称

Siemens Ltd官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二

更新时间

2024-6-1 23:00:00

晶体管资料

  • 型号:

    BD649

  • 别名:

    BD649三极管、BD649晶体管、BD649晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl+Di

  • 性质:

    低频或音频放大(LF)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    120V

  • 最大电流允许值:

    8A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD701,BD901,BDW73C,BDX33C,BDX53C,FD50B,

  • 最大耗散功率:

    62.5W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-10

  • vtest:

    120

  • htest:

    999900

  • atest:

    8

  • wtest:

    62.5

BD649规格书详情

NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTORS

产品属性

  • 产品编号:

    BD649-S

  • 制造商:

    Bourns Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    2.5V @ 50mA,5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    750 @ 3A,3V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 100V 8A TO220

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
23+
NA/
3330
原装现货,当天可交货,原型号开票
询价
BOURNS/伯恩斯
2020+
NA
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
询价
ST
2119+
TO-220
50
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
POWER
23+
TO-220
25000
专做原装正品,假一罚百!
询价
POWERTI
22+
TO-220
5623
只做原装正品现货!或订货假一赔十!
询价
BD649
600
600
询价
ST
TO-220
70230
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量
询价
FSC
19+
TO-220F
65973
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂;
询价
ST
24+
TO-220
9000
只做原装正品 有挂有货 假一赔十
询价
TO-220
10000
全新
询价