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BD435中文资料PDF规格书

BD435
厂商型号

BD435

参数属性

BD435 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 32V 4A SOT32-3

功能描述

TRANSISTOR (NPN)

文件大小

102.09 Kbytes

页面数量

1

生产厂商 SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD
企业简称

WINNERJOIN永而佳实业

中文名称

深圳市永而佳实业有限公司官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二原厂数据手册

更新时间

2024-6-19 18:22:00

晶体管资料

  • 型号:

    BD435(A-C)(-10...-25)

  • 别名:

    BD435三极管、BD435晶体管、BD435晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    32V

  • 最大电流允许值:

    4A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD185,BD195,3DD62A,

  • 最大耗散功率:

    36W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-21

  • vtest:

    32

  • htest:

    100000100

  • atest:

    4

  • wtest:

    36

BD435规格书详情

FEATURES

Power dissipation PCM: 1.25 W (Tamb=25℃)

Collector current ICM: 4 A

Collector-base voltage V(BR)CBO: BD433 22 V BD435 32 V BD437 45 V

Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃

产品属性

  • 产品编号:

    BD435

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 200mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 10mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    3MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-32-3

  • 描述:

    TRANS NPN 32V 4A SOT32-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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