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BD435中文资料PDF规格书

BD435
厂商型号

BD435

参数属性

BD435 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 32V 4A SOT32-3

功能描述

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

文件大小

153.16 Kbytes

页面数量

3

生产厂商 Youshun Technology Co., Ltd
企业简称

UTC友顺

中文名称

友顺科技股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-19 20:00:00

晶体管资料

  • 型号:

    BD435(A-C)(-10...-25)

  • 别名:

    BD435三极管、BD435晶体管、BD435晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    32V

  • 最大电流允许值:

    4A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD185,BD195,3DD62A,

  • 最大耗散功率:

    36W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-21

  • vtest:

    32

  • htest:

    100000100

  • atest:

    4

  • wtest:

    36

BD435规格书详情

DESCRIPTION

The UTC BD435 is a NPN epitaxial silicon transistor, it uses UTC’s advanced technology to provide the customers with high DC current gain, etc.

The UTC BD435 is suitable for medium power linear and switching applications.

FEATURES

* High DC current gain

产品属性

  • 产品编号:

    BD435

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 200mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 10mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    3MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-32-3

  • 描述:

    TRANS NPN 32V 4A SOT32-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
22+
TO126
100000
代理渠道/只做原装/可含税
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PH
1926+
TO-126
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只做原装正品现货!或订货假一赔十!
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TO-126
860000
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22+
500000
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可订货,请确认
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