BD435中文资料PDF规格书
| 厂商型号 |
BD435 |
| 参数属性 | BD435 封装/外壳为TO-225AA，TO-126-3；包装为散装；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个；产品描述：TRANS NPN 32V 4A SOT32-3 |
| 功能描述 | EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS |
| 文件大小 |
70.36 Kbytes |
| 页面数量 |
3 页 |
| 生产厂商 | TRANSYS Electronics Limited |
| 企业简称 |
TEL |
| 中文名称 | TRANSYS Electronics Limited官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-19 14:25:00 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
BD435三极管、BD435晶体管、BD435晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
32V
- 最大电流允许值：
4A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BD185,BD195,3DD62A,
- 最大耗散功率：
36W
- 放大倍数：
- 图片代号：
B-21
- vtest：
32
- htest：
100000100
- atest：
4
- wtest：
36
BD435规格书详情
EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS
Intended for use in Medium Power Linear and Switching Applications
产品属性
- 产品编号：
BD435
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 200mA，2A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 10mA，5V
- 频率 - 跃迁：
3MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
- 供应商器件封装：
SOT-32-3
- 描述：
TRANS NPN 32V 4A SOT32-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHILIPS/飞利浦 |
22+ |
TO-126 |
3900 |
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ST |
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原装正品 |
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22+ |
TO-126 |
9000 |
原装正品 |
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