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HCS273D	文件：466.84 Kbytes Page：9 Pages	RadiationHardenedOctalDFlip-Flop Features •3MicronRadiationHardenedCMOSSOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse •Lat	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HCS273D	文件：139.57 Kbytes Page：9 Pages	RadiationHardenedOctalDFlip-Flop Description TheIntersilHCS273MSisaRadiationHardenedoctalDflip-flop,positiveedgetriggered,withreset. TheHCS273MSutilizesadvancedCMOS/SOStechnologytoachievehigh-speedoperation.Thisdeviceisamemberofradiationhardened,high-speed,CMOS/SOSLogicFamily. TheHCS273MSis	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
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HCS273MS	文件：139.57 Kbytes Page：9 Pages	RadiationHardenedOctalDFlip-Flop Description TheIntersilHCS273MSisaRadiationHardenedoctalDflip-flop,positiveedgetriggered,withreset. TheHCS273MSutilizesadvancedCMOS/SOStechnologytoachievehigh-speedoperation.Thisdeviceisamemberofradiationhardened,high-speed,CMOS/SOSLogicFamily. TheHCS273MSis	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HCS273MS	文件：466.84 Kbytes Page：9 Pages	RadiationHardenedOctalDFlip-Flop Features •3MicronRadiationHardenedCMOSSOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse •Lat	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HCT273	文件：131.68 Kbytes Page：5 Pages	OctalDFlip-FlopwithCommonClockandResetwithLSTTL-CompatibleInputs OctalDFlip-FlopwithCommonClockandResetwithLSTTL-CompatibleInputs High–PerformanceSilicon–GateCMOS TheMC74HCT273AmaybeusedasalevelconverterforinterfacingTTLorNMOSoutputstoHigh–SpeedCMOSinputs. TheHCT273AisidenticalinpinouttotheLS273. Thisdevicec	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
HCT273	文件：69.68 Kbytes Page：9 Pages	OCTALD-TYPEFLIPFLOPWITHCLEAR DESCRIPTION The74VHCT273Aisanadvancedhigh-speedCMOSOCTALD-TYPEFLIPFLOPWITHCLEARfabricatedwithsub-micronsilicongateanddouble-layermetalwiringC2MOStechnology. ■HIGHSPEED:fMAX=170MHz(TYP.)atVCC=5V ■LOWPOWERDISSIPATION:ICC=4µA(MAX.)atTA=25°C ■COMPATIBLE	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
HCT273	文件：152.26 Kbytes Page：8 Pages	OctalDFlip-FlopwithCommonClockandResetwithLSTTL-CompatibleInputs OctalDFlip-FlopwithCommonClockandResetwithLSTTL-CompatibleInputs High−PerformanceSilicon−GateCMOS TheMC74HCT273AmaybeusedasalevelconverterforinterfacingTTLorNMOSoutputstoHigh−SpeedCMOSinputs.TheHCT273AisidenticalinpinouttotheLS273. Thisdevicecons	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
HCTS273D	文件：281.15 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalDFlip-Flop Description TheIntersilHCTS273MSisaRadiationHardenedoctalDflip-flop,positiveedgetriggered,withreset. TheHCTS273MSutilizesadvancedCMOS/SOStechnologytoachievehigh-speedoperation.Thisdeviceisamemberofradiationhardened,high-speed,CMOS/SOSLogicFamily. TheHCTS273MS	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HCTS273D	文件：547.88 Kbytes Page：9 Pages	RadiationHardenedOctalDFlip-Flop Features •3MicronRadiationHardenedCMOSSOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s.20nsPulse •La	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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晶体管资料

型号：
BD273
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD243B,BD537,3DD64C,
最大耗散功率：
36W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
80
htest：
999900
atest：
4
wtest：
36

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更多BD273供应商更新时间2024-5-17 10:00:00

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