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BD241C中文资料PDF规格书

BD241C
厂商型号

BD241C

参数属性

BD241C 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 100V 3A TO220

功能描述

Complementary Silicon Plastic Power Transistors

文件大小

139.97 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Motorola, Inc
企业简称

Motorola

中文名称

摩托罗拉官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-14 17:34:00

晶体管资料

  • 型号:

    BD241C

  • 别名:

    BD241C三极管、BD241C晶体管、BD241C晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    100V

  • 最大电流允许值:

    3A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD243C,BD581,BD591,TIP31C,3DD64D,

  • 最大耗散功率:

    40W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-10

  • vtest:

    100

  • htest:

    999900

  • atest:

    3

  • wtest:

    40

BD241C规格书详情

Complementary Silicon Plastic Power Transisotors

. . . designed for use in general purpose amplifier and switching applications.

• Collector–Emitter Saturation Voltage —

VCE = 1.2 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc

• Collector–Emitter Sustaining Voltage —

VCEO(sus) = 80 Vdc (Min.) BD241B, BD242B

VCEO(sus) = 100 Vdc (Min.) BD241C, BD242C

• High Current Gain — Bandwidth Product

fT = 3.0 MHz (Min) @ IC = 500 mAdc

• Compact TO–220 AB Package

产品属性

  • 产品编号:

    BD241C

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.2V @ 600mA,3A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    300µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    25 @ 1A,4V

  • 频率 - 跃迁:

    3MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS NPN 100V 3A TO220

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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