选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
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PHITO-126 |
8529 |
1738+ |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
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深圳市星辰微电科技有限公司3年
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ONTO-220-3 |
50000 |
22+ |
ON二三极管全系列在售 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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TH/韩国太虹TO-126 |
9851 |
2048+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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STTO-126 |
76364 |
22+23+ |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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FAIRCTO-126 |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市一线半导体有限公司15年
留言
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ONCASE77 |
6000 |
08+ |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
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ONSEMI |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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ON/安森美TO-126 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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ST/意法TO-126 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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NXP/恩智浦NA/ |
1000 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市东来宝电子科技有限公司12年
留言
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ST/意法TO-126 |
128038 |
22+ |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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深圳市佳杰伟业科技有限公司12年
留言
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STTO-126 |
6236 |
2310+ |
优势代理渠道,原装现货,可全系列订货 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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ST |
1202 |
23+ |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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STTO-126 |
8560 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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无锡固电半导体股份有限公司4年
留言
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iscTO-126/252/263 |
3100 |
2024 |
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国产品牌isc,可替代原装 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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FAIRCHILDNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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FAIRCHILDTO-126 |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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PHI7 |
5000 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市正川电子有限公司7年
留言
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STTO-126 |
6203 |
15+ |
现货-ROHO |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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PHI7 |
5000 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
BD180采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
BD180图片
BD180G价格
BD180G价格:¥1.2879品牌:ONSemi
生产厂家品牌为ONSemi的BD180G多少钱,想知道BD180G价格是多少?参考价:¥1.2879。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,BD180G批发价格及采购报价,BD180G销售排行榜及行情走势,BD180G报价。
BD180中文资料Alldatasheet PDF
更多BD180功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 80V 30W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD180/D功能描述:Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor
BD18000功能描述:手工工具 INSTALLATION TOOL 1861V SERIES RoHS:否 制造商:Molex 产品:Extraction Tools 类型: 描述/功能:Extraction tool
BD18010STU功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD180G功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 80V 30W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号:
BD180
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
800mV @ 100mA,1A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
1mA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
40 @ 150mA,2V
- 频率 - 跃迁:
3MHz
- 工作温度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-225AA,TO-126-3
- 供应商器件封装:
TO-126
- 描述:
TRANS PNP 80V 3A TO126
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-PNP
- 性质:
低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
80V
- 最大电流允许值:
3A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
BD190,BD238,BD442,3CA10E,
- 最大耗散功率:
30W
- 放大倍数:
- 图片代号:
B-21
- vtest:
80
- htest:
999900
- atest:
3
- wtest:
30