BD135G分立半导体产品晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料
厂商型号 |
BD135G |
参数属性 | BD135G 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 45V 1.5A TO126 |
功能描述 | Plastic Medium-Power Silicon NPN Transistors |
文件大小 |
86.22 Kbytes |
页面数量 |
4 页 |
生产厂商 | ON Semiconductor |
企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-15 20:00:00 |
BD135G规格书详情
BD135G属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。安森美半导体公司制造生产的BD135G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
产品属性
- 产品编号:
BD135G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
500mV @ 50mA,500mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
40 @ 150mA,2V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-225AA,TO-126-3
- 供应商器件封装:
TO-126
- 描述:
TRANS NPN 45V 1.5A TO126
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
23+ |
NA/ |
1900 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
23+ |
TO2253 |
6000 |
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询价 | ||
ON |
15+ |
TO126 |
79 |
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ON/安森美 |
21+ |
TO126 |
9850 |
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ON/安森美 |
23+ |
NA |
5750 |
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ON |
24+ |
TO-225-3 |
25000 |
ON全系列可订货 |
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ON/安森美 |
21+ |
NA |
6081 |
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ON/安森美 |
24+ |
NA |
860000 |
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ON/安森美 |
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ON/安森美 |
21+ |
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