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BCY79VIII	文件：54.4 Kbytes Page：8 Pages	PNP switching transistors DESCRIPTION PNPswitchingtransistorinaTO-18metalpackage. NPNcomplements:BCY58andBCY59. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.45V).APPLICATIONS •Switchingandamplification. APPLICATIONS •Switchingandamplification.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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BCY79VIII

文件：54.4 Kbytes

Page：8 Pages

PNP switching transistors

DESCRIPTION PNPswitchingtransistorinaTO-18metalpackage. NPNcomplements:BCY58andBCY59. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.45V).APPLICATIONS •Switchingandamplification. APPLICATIONS •Switchingandamplification.

PhilipsROYAL PHILIPS

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips

详细参数

型号：
BCY79VIII
功能描述：
两极晶体管 - BJT RO 511-2N4033
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多BCY79VIII供应商更新时间2024-5-1 10:08:00

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