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BCR133W分立半导体产品晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料

BCR133W
厂商型号

BCR133W

参数属性

BCR133W 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3

功能描述

NPN Silicon Digital Transistor
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3

文件大小

490.62 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

Infineon英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-24 15:48:00

晶体管资料

  • 型号:

    BCR133W

  • 别名:

    BCR133W三极管、BCR133W晶体管、BCR133W晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+R

  • 性质:

    差分放大器射极输出 (Dual)

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    50V

  • 最大电流允许值:

    0.1A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    DTC114EU,UN5211,2SC4398,

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    H-15

  • vtest:

    50

  • htest:

    999900

  • atest:

    .1

  • wtest:

    0

BCR133W规格书详情

NPN Silicon Digital Transistor

• Switching in circuit, inverter, interface circuit,

drive circuit

• Built in bias resistor (R1 = 10 kΩ, R2 = 10 kΩ)

• For 6-PIN packages: two (galvanic) internal

isolated transistors with good matching

in one package

BCR133W属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置。英飞凌科技公司制造生产的BCR133W晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器,设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作,并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量,从而可降低项目成本。

产品属性

  • 产品编号:

    BCR133WH6327XTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 5mA,5V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 500µA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-70,SOT-323

  • 供应商器件封装:

    PG-SOT323

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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