BCP55TA中文资料DIODES数据手册PDF规格书
厂商型号 |
BCP55TA |
参数属性 | BCP55TA 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 60V 1A SOT223-3 |
功能描述 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT223 |
文件大小 |
131.1 Kbytes |
页面数量 |
7 页 |
生产厂商 | Diodes Incorporated |
企业简称 |
DIODES |
中文名称 | Diodes Incorporated官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-11-10 23:00:00 |
BCP55TA规格书详情
Features
• BVCEO > 45V, 60V & 80V
• IC = 1A High Continuous Collector Current
• ICM = 2A Peak Pulse Current
• 2W Power Dissipation
• Low Saturation Voltage VCE(sat) < 500mV @ 0.5A
• Gain Groups 10 and 16
• Complementary PNP Types: BCP51, 52 and 53
• Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
• PPAP Capable (Note 4)
Applications
• Medium Power Switching or Amplification Applications
• AF Driver and Output Stages
产品属性
- 产品编号:
BCP55TA
- 制造商:
Diodes Incorporated
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
500mV @ 50mA,500mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
40 @ 150mA,2V
- 频率 - 跃迁:
150MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-261-4,TO-261AA
- 供应商器件封装:
SOT-223-3
- 描述:
TRANS NPN 60V 1A SOT223-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
23+ |
NA/ |
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