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BCP55TA中文资料DIODES数据手册PDF规格书

BCP55TA
厂商型号

BCP55TA

参数属性

BCP55TA 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 60V 1A SOT223-3

功能描述

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT223

文件大小

131.1 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES

中文名称

Diodes Incorporated官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-11-10 23:00:00

BCP55TA规格书详情

Features

• BVCEO > 45V, 60V & 80V

• IC = 1A High Continuous Collector Current

• ICM = 2A Peak Pulse Current

• 2W Power Dissipation

• Low Saturation Voltage VCE(sat) < 500mV @ 0.5A

• Gain Groups 10 and 16

• Complementary PNP Types: BCP51, 52 and 53

• Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

• PPAP Capable (Note 4)

Applications

• Medium Power Switching or Amplification Applications

• AF Driver and Output Stages

产品属性

  • 产品编号:

    BCP55TA

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 150mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    150MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-223-3

  • 描述:

    TRANS NPN 60V 1A SOT223-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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