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BC859W	文件：229.98 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconAFTransistors •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Lownoisebetween30Hzand15kHz •Complementarytypes:BC846W,BC847W,BC848W,BC849W,BC850W(NPN)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BC859W	文件：46.38 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistors DESCRIPTION PNPtransistorinaSOT323plasticpackage. NPNcomplements:BC849WandBC850W. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS •Lownoisestagesintaperecorders,hi-fiamplifiersandotheraudio-frequencyequipment.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC859W	文件：330.54 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistors FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.45V).	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BF859	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
BF859	文件：42.8 Kbytes Page：8 Pages	NPNhigh-voltagetransistor DESCRIPTION NPNtransistorsinaTO-202plasticpackage. AnA-versionwithe-b-cpinninginsteadofe-c-bisavailableonrequest. APPLICATIONS •Foruseinvideooutputstagesofblackandwhiteandcolourtelevisionreceivers.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF859	文件：67.15 Kbytes Page：8 Pages	NPNhigh-voltagetransistors IntegratedCircuits	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BLV859	文件：126.05 Kbytes Page：16 Pages	UHFlinearpush-pullpowertransistor DESCRIPTION NPNsiliconplanartransistorwithtwosectionsinpush-pullconfiguration.ThedeviceisencapsulatedinaSOT262B4-leadrectangularflangepackage,withtwoceramiccaps.ItdeliversaPosync=20Winclass-Aoperationat860MHzandasupplyvoltageof25V. FEATURES •	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BLV859	文件：18.79 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION: TheASIBLV859isDesignedforTelevisionBandIV&VApplicationsupto860MHz. FEATURES: •CommonEmitter •PG=10dBat150W/860MHz •Omnigold™MetalizationSystem	ASI Advanced Semiconductor, Inc	ASI
BLV859	文件：95.38 Kbytes Page：3 Pages	UHFlinearpush-pullpowertransistor DESCRIPTION NPNsiliconplanartransistorwithtwosectionsinpush-pullconfiguration.ThedeviceisencapsulatedinaSOT262B4-leadrectangularflangepackage,withtwoceramiccapsItdeliversaPosync=20Winclass-Aoperationat860MHzandasupplyvoltageof25V. FEATURES •Doublei	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
CAT859	文件：117.33 Kbytes Page：9 Pages	3-PinMicroprocessorPowerSupplySupervisors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
CAT859	文件：117.33 Kbytes Page：9 Pages	3-PinMicroprocessorPowerSupplySupervisors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
CAT859	文件：117.33 Kbytes Page：9 Pages	3-PinMicroprocessorPowerSupplySupervisors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
CAT859	文件：683.82 Kbytes Page：10 Pages	3-PinMicroprocessorPowerSupplySupervisors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
CAT859	文件：536.85 Kbytes Page：9 Pages	3-PinMicroprocessorPowerSupplySupervisors	CatalystCATALYST CATALYST	Catalyst
CAT859CTBI-G	文件：683.82 Kbytes Page：10 Pages	3-PinMicroprocessorPowerSupplySupervisors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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CAT859MTBI-G	文件：536.85 Kbytes Page：9 Pages	3-PinMicroprocessorPowerSupplySupervisors	CatalystCATALYST CATALYST	Catalyst
CAT859MTBI-G	文件：683.82 Kbytes Page：10 Pages	3-PinMicroprocessorPowerSupplySupervisors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
CAT859S	文件：536.85 Kbytes Page：9 Pages	3-PinMicroprocessorPowerSupplySupervisors	CatalystCATALYST CATALYST	Catalyst

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详细参数

型号：
BC859C T/R
制造商：
NXP Semiconductors
功能描述：
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin TO-236AB T/R

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BC859C T/R供应商更新时间2024-5-25 14:02:00

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