选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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ON/安森美SOT-23 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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PHILIPSSOT-23 |
31000 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
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SOT-23NA |
15659 |
23+ |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
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深圳市百诺芯科技有限公司8年
留言
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NXP/恩智浦SOT-23 |
24190 |
23+ |
原装正品代理渠道价格优势 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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PHILIPS |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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PHILIPS |
35200 |
21+ |
一级代理/放心采购 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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PHILIPS原厂正规渠道 |
5000 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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PHILIPS原厂正规渠道 |
5000 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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NXP/恩智浦SOT-23 |
33400 |
21+ |
优势供应 实单必成 可13点增值税 |
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深圳市安罗世纪电子有限公司6年
留言
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PHILIPSSMD |
73800 |
2023+ |
安罗世纪电子只做原装正品货 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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INFINEONNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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FAIRCHILDNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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PHILIPS323 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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PHILIPS/飞利浦NA/ |
9250 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市艾宇特电子科技有限公司6年
留言
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ON/安森美 |
9852 |
2046+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市润联芯城科技有限公司1年
留言
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FAIRCHILD/仙童SOT-23 |
21000 |
22+ |
只做原装正品 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童SOT-23 |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
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ON原厂封装 |
210000 |
2020+ |
100%进口原装正品公司现货库存 |
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深圳市莱克讯科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILDSOT-23 |
65895 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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INFINEONSOT23 |
7936 |
23+ |
BC859A采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
BC859A图片
BC859AE6327中文资料Alldatasheet PDF
更多BC859AMTF功能描述:两极晶体管 - BJT SOT-23 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC859AMTF_Q功能描述:两极晶体管 - BJT SOT-23 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC859ATA功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC859ATC功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC859AW RF功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2