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BC857T	文件：40.05 Kbytes Page：1 Pages	PNPGeneralPurposeTransistors ■Features ●Ideallysuitedforautomaticinsertion ●ForSwitchingandAFAmplifierApplications	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BC857T	文件：84.89 Kbytes Page：13 Pages	45V,100mANPNgeneral-purposetransistors DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT23plasticpackage.PNPcomplements:BC856,BC857andBC858. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC857T	文件：46.99 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistors DESCRIPTION PNPtransistorinanSC-75plasticpackage. NPNcomplements:BC846TandBC847T. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplificationespeciallyinportableequipment.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC857T	文件：55.58 Kbytes Page：6 Pages	PNPSiliconAFTransistor PNPSiliconAFTransistor ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BC847...T	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BC857T	文件：352.21 Kbytes Page：10 Pages	PNPgeneralpurposetransistors FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V).	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC857U	文件：324.73 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor PNPSilicon Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT–323/SC–70whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. Features Wedeclarethatthematerialofproductcompliancewith RoHSrequir	FS First Silicon Co., Ltd	FS
BC857U	文件：91.95 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconTransistor(GeneralpurposeapplicationSwitchingapplication) Descriptions •Generalpurposeapplication •Switchingapplication Features •Highvoltage:VCEO=-45V •ComplementarypairwithBC847U	AUK AUK	AUK
BC857U	文件：274.95 Kbytes Page：4 Pages	Generalpurposeapplication Descriptions •Generalpurposeapplication •Switchingapplication Features •Highvoltage:VCEO=-45V •ComplementarypairwithBC847U	KODENSHIKodenshi Group 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
BC857UF	文件：184.19 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconTransistor Descriptions •Generalpurposeapplication •Switchingapplication Features •Highvoltage:VCEO=-45V •ComplementarypairwithBC847UF	KODENSHIKodenshi Group 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
BC857UF	文件：92.17 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconTransistor(GeneralpurposeapplicationSwitchingapplication) Descriptions •Generalpurposeapplication •Switchingapplication Features •Highvoltage:VCEO=-45V •ComplementarypairwithBC847UF	AUK AUK	AUK
BC857V	文件：518.909 Kbytes Page：6 Pages	Ideallysuitedforautomaticinsertion	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
BC857W	文件：870.05 Kbytes Page：5 Pages	SOT-323Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES •Ideallysuitedforautomaticinsertion •ForSwitchingandAFAmplifierApplications	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
BC857W	文件：376.64 Kbytes Page：4 Pages	PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS GeneralPurposeSwitchingandAmplification.	CDIL CDIL	CDIL
BC857W	文件：249.81 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BC857W	文件：233.44 Kbytes Page：12 Pages	45V,100mANPNgeneral-purposetransistors Featuresandbenefits •General-purposetransistors •SMDplasticpackages •Threedifferentgainselections	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC857W	文件：236.73 Kbytes Page：11 Pages	PNPgeneralpurposetransistors FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V).	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC857W	文件：229.98 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconAFTransistors •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Lownoisebetween30Hzand15kHz •Complementarytypes:BC846W,BC847W,BC848W,BC849W,BC850W(NPN)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BC857W	文件：248.77 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,SWITCHING) GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •ForComplementaryWithNPNTypeBC846W/847W/848W	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
BC857W	文件：184.51 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation200mW •PlasticcaseSOT-323 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
BC857W	文件：50.57 Kbytes Page：12 Pages	PNPgeneralpurposetransistors DESCRIPTION PNPtransistorinaplasticSOT323package. NPNcomplements:BC846WandBC847W. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.80) •S-minipackage. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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