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BC856B/DG/B4VL	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列描述：TRANSISTOR GEN PURP	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

产品属性

产品编号：
BC856B/DG/B4VL
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
包装：
散装
晶体管类型：
2 PNP（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：
65V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
220 @ 2mA，5V
功率 - 最大值：
250mW
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
描述：
TRANSISTOR GEN PURP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BC856B/DG/B4VL供应商更新时间2024-5-20 17:00:00

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