| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市一线半导体有限公司15年
留言
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TO-92 |
50000 |
09+ |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
留言
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PHILIPSTO92 |
700000 |
2023+ |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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PHILIPS/飞利浦TO-92 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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PHILIPS/飞利浦TO-92 |
990000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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PHTO-92 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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PHILIPS/飞利浦TO-92 |
38560 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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中科航电(深圳)半导体技术有限公司7年
留言
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PHILIPSTO-92 |
45400 |
100%全新原装正品!支持货到付款!价格优势! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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HGF/恒光发TO-92 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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PHILIPS/飞利浦TO92 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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原厂 |
2000 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市振芯物联科技有限公司5年
留言
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PHILIPS/飞利浦TO-92 |
12120 |
22+ |
只做进口原装现货库存 |
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深圳市能元时代电子有限公司7年
留言
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SIEMENSTO92 |
12800 |
23+ |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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SIEMENSTO92 |
9965 |
96+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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CJ/长电TO-92 |
30000 |
21+ |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税发票 |
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深圳市豪迈兴电子有限公司3年
留言
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PHILIPS/飞利浦TO-92 |
32280 |
2339+ |
原装现货 假一罚十！十年信誉只做原装！ |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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SIEMENSTO92 |
27965 |
21+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳深宇韬电子科技有限公司1年
留言
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PHILIPSTO92 |
8800 |
2023+ |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
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深圳市华博特电子有限公司6年
留言
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onsemiNA |
9000 |
23/22+ |
代理渠道.实单必成 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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SIEMENSTO92 |
9965 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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SIEMENS |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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BC637 WAF制造商:ON Semiconductor
BC637_01制造商:KEC 制造商全称:KEC(Korea Electronics) 功能描述:TO-92 PACKAGE
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BC637_D27Z功能描述:两极晶体管 - BJT TO-92 NPN GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC637_D75Z功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC637_J35Z功能描述:两极晶体管 - BJT NPN GEN PURP XTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC637_L34Z功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC637_Q功能描述:两极晶体管 - BJT TO-92 NPN GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号：
BC637
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 150mA，2V
- 频率 - 跃迁：
200MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
- 供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
- 描述：
TRANS NPN 60V 1A TO92
