BC636中文资料CDIL数据手册PDF规格书
厂商型号 |
BC636 |
参数属性 | BC636 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA);包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS PNP 45V 1A TO92-3 |
功能描述 | SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
文件大小 |
121.16 Kbytes |
页面数量 |
5 页 |
生产厂商 | Continental Device India Limited |
企业简称 |
CDIL |
中文名称 | Continental Device India Limited官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-11-10 23:00:00 |
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
BC636三极管、BC636晶体管、BC636晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-PNP
- 性质:
低频或音频放大 (LF)_TR_输出极 (E)
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
45V
- 最大电流允许值:
1A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
BC327,BC527,BC727,3CK10E,
- 最大耗散功率:
0.8W
- 放大倍数:
- 图片代号:
A-20
- vtest:
45
- htest:
999900
- atest:
1
- wtest:
0.8
BC636规格书详情
SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
High Current Transistor
产品属性
- 产品编号:
BC636
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
500mV @ 50mA,500mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
40 @ 150mA,2V
- 频率 - 跃迁:
100MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
- 供应商器件封装:
TO-92-3
- 描述:
TRANS PNP 45V 1A TO92-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP/恩智浦 |
23+ |
NA/ |
2000 |
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询价 | ||
onsemi(安森美) |
23+ |
TO923 |
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PH |
2020+ |
TO-92 |
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三年内 |
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NXP |
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23+ |
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18+ |
TO-92 |
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CDIL |
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TO-92 |
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