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EL617A	文件：820.07 Kbytes Page：12 Pages	4PINDIPPHOTOTRANSISTORPHOTOCOUPLER	EverlightEverlight Electronics Co Ltd 台湾亿光亿光电子工业股份有限公司	Everlight
EL617B	文件：820.07 Kbytes Page：12 Pages	4PINDIPPHOTOTRANSISTORPHOTOCOUPLER	EverlightEverlight Electronics Co Ltd 台湾亿光亿光电子工业股份有限公司	Everlight
EL617C	文件：820.07 Kbytes Page：12 Pages	4PINDIPPHOTOTRANSISTORPHOTOCOUPLER	EverlightEverlight Electronics Co Ltd 台湾亿光亿光电子工业股份有限公司	Everlight
EL617D	文件：820.07 Kbytes Page：12 Pages	4PINDIPPHOTOTRANSISTORPHOTOCOUPLER	EverlightEverlight Electronics Co Ltd 台湾亿光亿光电子工业股份有限公司	Everlight
EL617-G	文件：820.07 Kbytes Page：12 Pages	4PINDIPPHOTOTRANSISTORPHOTOCOUPLER	EverlightEverlight Electronics Co Ltd 台湾亿光亿光电子工业股份有限公司	Everlight
EL617X	文件：820.07 Kbytes Page：12 Pages	4PINDIPPHOTOTRANSISTORPHOTOCOUPLER	EverlightEverlight Electronics Co Ltd 台湾亿光亿光电子工业股份有限公司	Everlight
EL617Y	文件：820.07 Kbytes Page：12 Pages	4PINDIPPHOTOTRANSISTORPHOTOCOUPLER	EverlightEverlight Electronics Co Ltd 台湾亿光亿光电子工业股份有限公司	Everlight
FCX617	文件：37.22 Kbytes Page：2 Pages	SwitchingTransistor Features ●2Wpowerdissipation. ●12Apeakpulsecurrent. ●ExcellentHFEcharacteristicsupto12amps. ●ExtremelylowsaturationvoltageE.g.8mvTyp. ●Extremelylowequivalenton-resistance. ●RCE(sat)50mΩat3A.	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
FCX617	文件：87.93 Kbytes Page：3 Pages	SOT89NPNSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTOR FEATURES 2WPOWERDISSIPATION 12APeakPulseCurrent ExcellentHFECharacteristicsupto12Amps ExtremelyLowSaturationVoltageE.g.8mvTyp. *ExtremelyLowEquivalentOn-resistance;RCE(sat)50mΩat3A	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
FCX617	文件：82.86 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTOR FEATURES 2WPOWERDISSIPATION 12APeakPulseCurrent ExcellentHFECharacteristicsupto12Amps ExtremelyLowSaturationVoltageE.g.8mvTyp. *ExtremelyLowEquivalentOn-resistance;RCE(sat)50mΩat3A	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FCX617TA	文件：87.93 Kbytes Page：3 Pages	SOT89NPNSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTOR	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
FMMT617	文件：307.8 Kbytes Page：4 Pages	SOT23NPNSILICONPOWER Features •BVCEO>15V •IC=3AhighContinuousCollectorCurrent •ICM=12APeakPulseCurrent •RCE(sat)=50mΩforalowequivalentOn-Resistance •625mWPowerdissipation •hFEspecifiedupto12Aforhighcurrentgainholdup •ComplementaryPNPType:FMMT717 •TotallyLead-Free&am	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
FMMT617	文件：755.32 Kbytes Page：4 Pages	PNPTransistor Features ●ForSwitchingandAmplifierApplications. ●ExtremelyLowSaturationVoltage ●ComplementarytoNPNType:FMMT617	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
FMMT617	文件：308.81 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTORS FEATURES 625mWPOWERDISSIPATION ICCONT3A 12APeakPulseCurrent ExcellentHFECharacteristicsUpTo12A(pulsed) ExtremelyLowSaturationVoltageE.g.8mVTyp. ExtremelyLowEquivalentOnResistance;RCE(sat)	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FMMT617TA	文件：86.94 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPowerTransistor ■Features ●PowerDissipation:Ptot=625mW ●CollectorCurrent:IC=3A	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
FMMT617TC	文件：951.64 Kbytes Page：7 Pages	15VNPNLOWSATURATIONTRANSISTORINSOT23 Features •BVCEO>15V •IC=3AhighContinuousCollectorCurrent •ICM=12APeakPulseCurrent •RCE(sat)=50mΩforalowequivalentOn-Resistance •625mWPowerdissipation •hFEspecifiedupto12Aforhighcurrentgainholdup •ComplementaryPNPType:FMMT717 •TotallyLead-Free&am	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
FOD617	文件：583.93 Kbytes Page：12 Pages	4-PinHighOperatingTemperaturePhototransistorOptocouplers	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FOD617	文件：578.17 Kbytes Page：12 Pages	4-PinPhototransistorOptocouplers Description TheFOD814consistsoftwogalliumarsenideinfraredemittingdiodes,connectedininverseparallel,drivingasiliconphototransistoroutputina4-pindualin-linepackage.TheFOD617/817Seriesconsistsofagalliumarsenideinfraredemittingdiodedrivingasiliconphototransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FOD617A	文件：578.17 Kbytes Page：12 Pages	4-PinPhototransistorOptocouplers Description TheFOD814consistsoftwogalliumarsenideinfraredemittingdiodes,connectedininverseparallel,drivingasiliconphototransistoroutputina4-pindualin-linepackage.TheFOD617/817Seriesconsistsofagalliumarsenideinfraredemittingdiodedrivingasiliconphototransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FOD617B	文件：578.17 Kbytes Page：12 Pages	4-PinPhototransistorOptocouplers Description TheFOD814consistsoftwogalliumarsenideinfraredemittingdiodes,connectedininverseparallel,drivingasiliconphototransistoroutputina4-pindualin-linepackage.TheFOD617/817Seriesconsistsofagalliumarsenideinfraredemittingdiodedrivingasiliconphototransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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晶体管资料

型号：
BC617
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl
性质：
低频或音频放大（LF）_TR_输出极（E）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
>150MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC875,BC877,BC879,BSR50,BSR51,BSR52,
最大耗散功率：
0.625W
放大倍数：
β>10000
图片代号：
A-23
vtest：
50
htest：
150000100
atest：
1
wtest：
.625

详细参数

型号：
BC617
制造商：
INFINEON
制造商全称：
Infineon Technologies AG
功能描述：
NPN Silicon Darlington Transistors(High current gain High collector current)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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