| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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ON(安森美)N/A |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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PHSSEMICONDUCTORNA |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
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三星QFP32 |
20000 |
23+ |
原厂原装正品现货 |
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深圳市星辰微电科技有限公司3年
留言
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ONTO-220-3 |
50000 |
22+ |
ON二三极管全系列在售 |
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深圳市正迈科技有限公司8年
留言
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FSC/ON原包装原封□□ |
5035 |
23+ |
原装进口特价供应QQ1304306553更多详细咨询库存 |
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深圳市力拓辉电子有限公司13年
留言
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DiotecTO-92 |
4000 |
21+ |
全新原装鄙视假货15118075546 |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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仙童TO-92 |
3800 |
22+ |
全新原装品牌专营 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司7年
留言
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PHILIPS/飞利浦TO92 |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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PHI原厂原装 |
50051 |
05+ |
只做全新原装真实现货供应 |
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深圳市亿顺芯科技有限公司5年
留言
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POWERTO-92 |
57550 |
2022+ |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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PHSSEMICONA |
26353 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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PHILIPS |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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TOSHIBA/东芝NA/ |
100000 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
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MOTTO-92 |
8553 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-92 |
68900 |
PHI |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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PHITO-92 |
58209 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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TOSHIBA东芝TO-92 |
100000 |
22+21+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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ONTO92GP |
6000 |
08+ |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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PHILIPS |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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HGF/恒光发TO-92 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
BC549C采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
BC549C图片
BC549CTA价格
BC549CTA价格：￥0.1419品牌：Fairchild
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BC549C A1功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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BC549C_D11Z功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC549C_J35Z功能描述:两极晶体管 - BJT NPN GEN PURPOSE XTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC549C_Q功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 30V 100mA HFE/8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC549CBU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 30V 100mA HFE/800 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC549CG功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC549CTA功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 30V 100mA HFE/8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC549CTA_Q功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 30V 100mA HFE/8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号：
BC549C
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 5mA，100mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 2mA，5V
- 频率 - 跃迁：
250MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
- 供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
- 描述：
TRANS NPN 30V 0.1A TO92
