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BC548B	文件：140.48 Kbytes Page：6 Pages	Amplifier Transistors(NPN Silicon) AmplifierTransistors NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC548B	文件：210.85 Kbytes Page：6 Pages	NPN Silicon Transistors NPNSiliconTransistors	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BC548B	文件：21.97 Kbytes Page：2 Pages	NPN General Purpose Amplifier Features •SwitchingandAmplifier •High-Voltage:BC546,VCEO=65V •Low-Noise:BC549,BC550 •ComplementtoBC556,BC557,BC558,BC559,andBC560	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC548B	文件：148.76 Kbytes Page：2 Pages	Si-Epitaxial PlanarTransistors Features GeneralPurposeThreecurrentgaingroupsComplianttoRoHS,REACH,ConflictMinerals1) TypicalApplications Signalprocessing,Switching,AmplificationCommercialgrade1) MechanicalData1) (1)Tapedinammopack4000(Raster2.54) (2)Onrequest:inbulk5000(Ra	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
BC548B	文件：91.77 Kbytes Page：6 Pages	Amplifier Transistors AmplifierTransistors NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC548B	文件：1.9671 Mbytes Page：5 Pages	NPN General Purpose Transistor NPNGeneralPurposeTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
BC548B	文件：160.26 Kbytes Page：5 Pages	NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTOR VOLTAGE30V/45V/65VPOWER625mWatts FEATURES •NPNepitaxialsilicon,planardesign •CollectorcurrentIC=100mA •Complimentary(PNP)device:BC556,BC557,BC558Series •Pbfreeproduct:99SnabovecanmeetRoHSenvironmentsubstancedirectiverequest	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
BC548B	文件：183.96 Kbytes Page：3 Pages	Elektronische Bauelemente FEATURES Powerdissipation PCM:0.625W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.1A Collector-basevoltage VCBO:BC54680V BC54750V BC54830V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
BC548B	文件：72.62 Kbytes Page：2 Pages	NPN General Purpose Amplifier NPNGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforuseasgeneralpurposeamplifiersandswitchesrequiringcollectorcurrentsto300mA.SourcedfromProcess10.SeePN100Aforcharacteristics.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BC548B	文件：50.35 Kbytes Page：4 Pages	Switching and Applications Switching and Applications Features •SwitchingandAmplifier •High-Voltage:BC546,VCEO=65V •Low-Noise:BC549,BC550 •ComplementtoBC556,BC557,BC558,BC559,andBC560	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC548B	文件：151.77 Kbytes Page：6 Pages	Switching and Amplifier Features •SwitchingandAmplifier •High-Voltage:BC546,VCEO=65V •Low-Noise:BC549,BC550 •ComplementtoBC556,BC557,BC558,BC559,andBC560	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC548B	文件：124.68 Kbytes Page：5 Pages	NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS AmplifierTransistors	CDIL CDIL	CDIL
BC548B	文件：540.84 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •ThroughHolePackage •150°CJunctionTemperature •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
BC548B	文件：102.54 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.625W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.1A Collector-basevoltage VCBO:BC54680V BC54750V BC54830V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
BC548B	文件：223.47 Kbytes Page：9 Pages	Amplifier Transistors NPN Silicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC548B	文件：301.48 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon Amplifier Transistor 625mW Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •ThroughHolePackage •150°CJunctionTemperature •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
BC548B	文件：148.07 Kbytes Page：2 Pages	General Purpose NPN Transistors	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
BC548B	文件：341.57 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon Amplifier Transistor 625mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
BC548B	文件：50.79 Kbytes Page：1 Pages	NPN General Purpose Amplifier	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
BC548B	文件：228.16 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon Amplifier Transistor 625mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC

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产品属性

产品编号：
BC548B
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 500µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS NPN 30V 0.1A TO92

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更多BC548B供应商更新时间2024-4-29 10:18:00

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