选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市羿芯诚电子有限公司11年
留言
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CSRBGA |
2860 |
20+ |
原厂原装正品价格优惠公司现货欢迎查询 |
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标准国际(香港)有限公司16年
留言
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735 |
02+ |
全新原装!优势库存热卖中! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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CRSQFN |
7906200 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司7年
留言
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CSRBGA |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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CSRQFN |
53500 |
2023+ |
正品,原装现货 |
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深圳市芯诚实创科技有限公司2年
留言
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CSRBGA |
600 |
2022 |
绝对实际库存 |
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深圳市弘为电子有限公司9年
留言
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MOT原厂封装 |
2500 |
16+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市福田区亿兴成电子商行6年
留言
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BGA |
266 |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
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CSRQFN |
6500 |
21+ |
全新原装现货 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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HGFTO-92 |
9862 |
18+ |
全新原装现货/假一罚百! |
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深圳市星宇佳科技有限公司2年
留言
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CJ/长电TO-92 |
3000 |
2020+ |
原装现货支持BOM配单服务 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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TO-92 |
50000 |
09+ |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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FAIRCHILD |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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FSCTO-92 |
6852 |
1926+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
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FSCTO-92 |
85600 |
18+ |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
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深圳市航宇科工半导体有限公司3年
留言
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原厂NA |
5000 |
23+ |
航宇科工半导体-中国航天科工集团战略合作伙伴! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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onsemiTO-226-3,TO-92-3 标准主体(!- |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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N/A |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市深创辉科技有限公司16年
留言
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ME |
23 |
原装正品长期供货,如假包赔包换 徐小姐13714450367 |
BC212采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
BC212图片
BC212中文资料Alldatasheet PDF
更多BC212功能描述:两极晶体管 - BJT PNP -50V -100mA HFE/120 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC212_D26Z功能描述:两极晶体管 - BJT PNP -50V -100mA HFE/120 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC212_D27Z功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC212_D74Z功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC212_D75Z功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC212_J35Z功能描述:两极晶体管 - BJT GENERAL PURPOSE XTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC212_Q功能描述:两极晶体管 - BJT PNP -50V -100mA HFE/12 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC212015BDN-E4制造商:CSR
BC212015BQN-E4制造商:CSR
BC212015BRN-E4制造商:CSR 功能描述:IC BLUECORE2 EXT 96-VFBGA
产品属性
- 产品编号:
BC212
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
600mV @ 5mA,100mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
15nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
60 @ 2mA,5V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
- 供应商器件封装:
TO-92-3
- 描述:
TRANS PNP 50V 0.3A TO92-3