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BB304MDW-TL-E中文资料PDF规格书

BB304MDW-TL-E
厂商型号

BB304MDW-TL-E

功能描述

Built in Biasing Circuit MOS FET IC VHF RF Amplifier

文件大小

301.75 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-18 14:03:00

BB304MDW-TL-E规格书详情

Features

• Built in Biasing Circuit; To reduce using parts cost & PC board space.

• High gain;

(PG = 29 dB typ. at f = 200 MHz)

• Low noise characteristics;

(NF = 1.2 dB typ. at f = 200 MHz)

• Wide supply voltage range;

Applicable with 5V to 9V supply voltage.

• Withstanding to ESD;

Built in ESD absorbing diode. Withstand up to 200V at C=200pF, Rs=0 conditions.

Provide mini mold packages; MPAK-4(SOT-143Rmod)

产品属性

  • 型号:

    BB304MDW-TL-E

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Built in Biasing Circuit MOS FET IC VHF RF Amplifier

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
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