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BAQ135	文件：484.243 Kbytes Page：2 Pages	30VDetectionswitchtube	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
BAQ135	文件：175.75 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalSwitchingDiodes,LowLeakageCurrent	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BAY135	文件：371.15 Kbytes Page：2 Pages	200mAAxialLeadedSmallSignalSwitchingDiodes Features ●SiliconPlanarDiode ●Verylowreversecurrent ●Lead(Pb)-freecomponent ●ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
BAY135	文件：77.21 Kbytes Page：3 Pages	SmallSignalFastSwitchingDiode,HighVoltage FEATURES •Siliconplanardiode •Verylowreversecurrent •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Protectioncircuits,delaycircuits	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BAY135	文件：35.22 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPlanarDiode Features •SiliconPlanarDiode •Verylowreversecurrent •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications •Protectioncircuits,delaycircuits	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BAY135	文件：113.11 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalSwitchingDiode,HighVoltage	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BAY135-TAP	文件：113.11 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalSwitchingDiode,HighVoltage	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BAY135-TR	文件：113.11 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalSwitchingDiode,HighVoltage	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BB135	文件：38.03 Kbytes Page：2 Pages	UHFVariableCapacitanceDiode DESCRIPTION TheBB135isavariablecapacitancediode,fabricatedinplanartechnology,andencapsulatedintheSOD323verysmallplasticSMDpackage. Thematchedtype,BB134hasthesamespecification. FEATURES •Excellentlinearity •VerysmallplasticSMDpackage. •C28:1.9pF;ratio:10	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
BB135	文件：53.78 Kbytes Page：8 Pages	UHFvariablecapacitancediode DESCRIPTION TheBB135isavariablecapacitancediode,fabricatedinplanartechnology,andencapsulatedintheSOD323verysmallplasticSMDpackage. Thematchedtype,BB134hasthesamespecification. FEATURES •Excellentlinearity •VerysmallplasticSMDpackage. •C28:1.9pF;ratio:10	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BB135	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BCR135	文件：211.2 Kbytes Page：12 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR135	文件：490.89 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuitdrivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=10kΩ,R2=47kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR135	文件：51.02 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor(Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit) NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=10kΩ,R2=47kΩ)	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BCR135F	文件：490.89 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuitdrivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=10kΩ,R2=47kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR135F	文件：211.2 Kbytes Page：12 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR135S	文件：211.2 Kbytes Page：12 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR135S	文件：490.89 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuitdrivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=10kΩ,R2=47kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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BCR135T	文件：490.89 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuitdrivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=10kΩ,R2=47kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

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产品属性

产品编号：
BB135,115
制造商：
NXP USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器）
包装：
托盘
不同 Vr、F 时电容：
2.1pF @ 28V，1MHz
电容比条件：
C0.5/C28
二极管类型：
单路
工作温度：
-55°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-76，SOD-323
供应商器件封装：
SOD-323
描述：
DIODE UHF VAR CAP 30V SOD323

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