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BAS21AHT1G	文件：53.66 Kbytes Page：3 Pages	Low Leakage Switching Diode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS21AHT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：SC-76，SOD-323 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS21AHT1G_10	文件：137.82 Kbytes Page：3 Pages	Low Leakage Switching Diode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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BAS21AHT1D	文件：137.82 Kbytes Page：3 Pages	LowLeakageSwitchingDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSVBAS21AHT1G	文件：53.66 Kbytes Page：3 Pages	LowLeakageSwitchingDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
BAS21AHT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
200mA
速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
不同 Vr、F 时电容：
5pF @ 0V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-76，SOD-323
供应商器件封装：
SOD-323
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323

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更多BAS21AHT1G供应商更新时间2024-5-18 16:08:00

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