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QM6008D	文件：1.00435 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
QM6008D	文件：237.55 Kbytes Page：4 Pages	N-Ch60VFastSwitchingMOSFETs	UPI uPI Semiconductor Corp	UPI
QM6008D	文件：674.85 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
QM6008G	文件：502.56 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •BatterySwitch •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
QM6008G	文件：229.01 Kbytes Page：4 Pages	N-Ch60VFastSwitchingMOSFETs	UPI uPI Semiconductor Corp	UPI
QM6008K	文件：219.47 Kbytes Page：4 Pages	N-Ch60VFastSwitchingMOSFETs	UPI uPI Semiconductor Corp	UPI
QM6008K	文件：502.69 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •BatterySwitch •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
QM6008U	文件：1.33358 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
QM6008U	文件：335.07 Kbytes Page：4 Pages	N-Ch60VFastSwitchingMOSFETs	UPI uPI Semiconductor Corp	UPI
QM6008U	文件：960.33 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
R6008ANX	文件：1.00965 Mbytes Page：14 Pages	Nch600V8APowerMOSFET	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6008ANX	文件：265.05 Kbytes Page：6 Pages	10VDriveNchMOSFET	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6008FNJ	文件：1.32067 Mbytes Page：6 Pages	10VDriveNchMOSFET	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6008FNJTL	文件：1.03795 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
R6008FNX	文件：297.12 Kbytes Page：6 Pages	10VDriveNchMOSFET	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RJQ6008BDPM	文件：188.26 Kbytes Page：12 Pages	600V-6A-IGBTPowerSwitching Features Builtinfastrecoverydiodeinonepackage Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.8Vtyp.(atIC=20A,VGE=15V,Tc=25C) Qualitygrade:Standard Highspeedswitching Applications:PFC	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJQ6008DPM	文件：115.64 Kbytes Page：9 Pages	600V-10A-IGBTandDiodeHighSpeedPowerSwitching Features •Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=2.65Vtyp.(IC=25A,VGE=15V,Ta=25°C) •Builtinfastrecoverydiodeinonepackage •Trenchgateandthinwafertechnology •Highspeedswitching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
S6008D	文件：218.54 Kbytes Page：12 Pages	RoHSCompliant GeneralDescription TheTeccorlineofthyristorSCRsemi-conductorsarehalf-wave,unidirectional,gate-controlledrectifierswhichcomplementTeccorslineofsensitiveSCRs.Teccoroffersdeviceswithratingsof1Ato70Aand200Vto1000V,withgatesensitivitiesfrom10mAto50mA.Ifga	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司	Littelfuse
S6008D	文件：218.54 Kbytes Page：12 Pages	RoHSCompliant,Electrically-isolatedpackage	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司	Littelfuse
S6008D	文件：218.54 Kbytes Page：12 Pages	RoHSCompliant	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2

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详细参数

型号：
BAR6008
制造商：
DEC
制造商全称：
DEC
功能描述：
60 AMP BUTTON DIODES

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	BAR60E6327	INFINEON	2008++	SMD	12200	新进库存/原装	询价
深圳市佳鑫美电子科技有限公司	BAR60E6327	INFINEON	22+		2645	100%全新原装公司现货供应!随时可发货	询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	BAR60E6327	INFINEON	23+	SOT-143	7936		询价
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深圳市河锋鑫科技有限公司	BAR60E6327	INFINEON	22+	SMD	8000	终端可免费供样,支持BOM配单	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	BAR60E6327	INFINEON	23+	SMD	8000	只做原装现货	询价
深圳市振宏微科技有限公司	BAR60E6327,MAZ32000M,SL44-E3/57T	SMD	23+	NA	15659	振宏微专业只做正品,假一罚百!	询价
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深圳市联成美业电子有限公司	BAR60低压MOS管	INFINEON/英飞凌	22+		24000	询价拨打15919799957全天在线	询价

更多BAR6008供应商更新时间2024-5-30 16:30:00

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