BAP55LX分立半导体产品二极管-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BAP55LX |
| 参数属性 | BAP55LX 封装/外壳为2-XDFN；包装为卷带（TR）剪切带（CT）；类别为分立半导体产品 > 二极管 - 射频；产品描述：RF DIODE PIN 50V 135MW 2DFN |
| 功能描述 | Silicon PIN diode High speed switching for RF signals |
| 文件大小 |
244.49 Kbytes |
| 页面数量 |
9 页 |
| 生产厂商 | NXP Semiconductors |
| 企业简称 |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名称 | 恩智浦半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-5-21 8:19:00 |
BAP55LX规格书详情
BAP55LX属于分立半导体产品 > 二极管 - 射频。恩智浦半导体公司制造生产的BAP55LX二极管 - 射频射频二极管是一种双端子半导体器件，只允许一个方向通过电流，而限制反方向的电流。该系列器件用于射频匹配电路以进行电子调谐。二极管类型包括 PIN 型、肖特基型和标准型，反向电压范围为 1 至 15,000 V，电流范围为 10 mA 至 20A。
产品属性
- 产品编号：
BAP55LX,315
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
- 二极管类型：
PIN - 单
- 电压 - 峰值反向（最大值）：
50V
- 不同 Vr、F 时电容：
0.28pF @ 20V，1MHz
- 不同 If、F 时电阻：
800 毫欧 @ 100mA，100MHz
- 工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 封装/外壳：
2-XDFN
- 供应商器件封装：
DFN1006D-2
- 描述：
RF DIODE PIN 50V 135MW 2DFN
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP |
23+ |
SOD |
7500 |
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询价 | ||
NXP(恩智浦) |
23+ |
标准封装 |
6000 |
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询价 | ||
NXP/恩智浦 |
22+ |
SOD882 |
72500 |
郑重承诺只做原装进口货 |
询价 | ||
NXP/恩智浦 |
24+ |
SOD882 |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
NXP |
2023+ |
SOD882 |
8800 |
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询价 | ||
NXP/恩智浦 |
22+ |
SOD882 |
5070 |
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询价 | ||
NXP |
1352+ |
SOD882 |
49195 |
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询价 | ||
NXP |
21+ |
标准封装 |
12000 |
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询价 | ||
NXP |
2023+ |
SOD882 |
80000 |
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询价 | ||
NXP |
21+ |
SOD882 |
47054 |
原装现货假一赔十 |
询价 |
