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F20NM50FD	文件：403.2 Kbytes Page：16 Pages	N-channel500V,0.22廓,20AD2PAK,TO-220FP,TO-220FDmesh??PowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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STB20NM50	文件：296.79 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMosfetTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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STB20NM50	文件：532.76 Kbytes Page：16 Pages	N-CHANNEL500V-0.20ohm-20ATO-220/FP/D2PAK/I2PAKMDmeshPowerMOSFET DESCRIPTION TheMDmesh™isanewrevolutionaryMOSFETtechnologythatassociatestheMultipleDrainprocesswiththeCompany’sPowerMESH™horizontallayout.Theresultingproducthasanoutstandinglowon-resistance,impressivelyhighdv/dtandexcellentavalanchecharacteristics.Theadoption	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STB20NM50FD	文件：494.71 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNEL500V-0.22W-20ATO-220/TO-220FP/D2PAKFDmesh??PowerMOSFET(withFASTDIODE)	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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STB20NM50FD	文件：287.87 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL500V-0.20ohm-20AD2PAKFDmesh?줡owerMOSFETWithFASTDIODE Description TheFDmesh™associatesalladvantagesofreducedon-resistanceandfastswitchingwithanintrinsicfast-recoverybodydiode.Itisthereforestronglyrecommendedforbridgetopologies,inparticularZVSphase-shiftconverters. ■Highdv/dtandavalanchecapabilities ■100avalanche	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STB20NM50FD	文件：296.81 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMosfetTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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STF20NM50FD	文件：293.93 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMosfetTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STP20NM50	文件：317.23 Kbytes Page：14 Pages	N-channel500V-0.20廓-20A-TO220/FP-D2PAK-I2PAKMDmesh??PowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STP20NM50	文件：532.76 Kbytes Page：16 Pages	N-CHANNEL500V-0.20ohm-20ATO-220/FP/D2PAK/I2PAKMDmeshPowerMOSFET DESCRIPTION TheMDmesh™isanewrevolutionaryMOSFETtechnologythatassociatestheMultipleDrainprocesswiththeCompany’sPowerMESH™horizontallayout.Theresultingproducthasanoutstandinglowon-resistance,impressivelyhighdv/dtandexcellentavalanchecharacteristics.Theadoption	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STP20NM50FD	文件：276.77 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL500V-0.22ohm-20ATO-220/I2PAKFDmesh??PowerMOSFETwithFASTDIODE Description TheFDmesh™associatesalladvantagesofreducedon-resistanceandfastswitchingwithanintrinsicfast-recoverybodydiode.Itisthereforestronglyrecommendedforbridgetopologies,inparticularZVSphase-shiftconverters. ■Highdv/dtandavalanchecapabilities ■100avalanche	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STP20NM50FD	文件：494.71 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNEL500V-0.22W-20ATO-220/TO-220FP/D2PAKFDmesh??PowerMOSFET(withFASTDIODE)	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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STP20NM50FD	文件：303.31 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMosfetTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STP20NM50FP	文件：1.15921 Mbytes Page：11 Pages	N-Channel650-V(D-S)SuperJunctionMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STP20NM50FP	文件：299.23 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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更多B20NM50供应商更新时间2024-5-29 15:43:00

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