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TK20J60T

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TK20J60U

SwitchingRegulatorApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TK20J60U

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TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TK20J60U

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TK20J60U

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

TK20J60U-F

SwitchingRegulatorApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TK20J60W

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

TK20J60W

MOSFETsSiliconN-ChannelMOS(DTMOS??

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

详细参数

  • 型号:

    B20J60KE

  • 功能描述:

    线绕电阻器 - 透孔 20watt 60K 5% Axial

  • RoHS:

  • 制造商:

    Bourns

  • 电阻:

    10 Ohms

  • 容差:

    5 %

  • 功率额定值:

    7 W

  • 温度系数:

    200 PPM/C

  • 系列:

    FW

  • 端接类型:

    Axial

  • 工作温度范围:

    - 55 C to + 155 C

  • 尺寸:

    9.5 mm Dia. x 26 mm L

  • 封装:

    Ammo

  • 产品:

    Power Resistors Wirewound High Energy

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更多B20J60KE供应商 更新时间2024-6-14 16:16:00