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B12A1V-JE	文件：258.36 Kbytes Page：8 Pages	GeneralSpecifications	OHMITE OHMITE MANUFACTURING COMPANY	OHMITE
B12A1V-JF	文件：258.36 Kbytes Page：8 Pages	GeneralSpecifications	OHMITE OHMITE MANUFACTURING COMPANY	OHMITE
B12A1V-JG	文件：258.36 Kbytes Page：8 Pages	GeneralSpecifications	OHMITE OHMITE MANUFACTURING COMPANY	OHMITE
B12A1V-JH	文件：258.36 Kbytes Page：8 Pages	GeneralSpecifications	OHMITE OHMITE MANUFACTURING COMPANY	OHMITE
B12A1W	文件：299.21 Kbytes Page：8 Pages	ProcessSealedSubminiatureAntistaticToggles	NKKNihon Kaiheiki Industry Co. Ltd. 恩楷楷日本开闭器工业株式会社	NKK
H12A1	文件：108.27 Kbytes Page：4 Pages	500mWZenerDiode1.7to37.2Volts Features •LowLeakage •LowZenerImpedance •HighReliability	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
HZ12A1	文件：261.899 Kbytes Page：4 Pages	SILICONEPITAXIALPLANERZENERDIODES forstabilizedpowersupply Features •Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mWareideallysuitedforstabilizedpowersupply,etc. •Widespectrumfrom1.6Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
HZ12A1	文件：55.92 Kbytes Page：7 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply Features •Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mWareideallysuitedforstabilizedpowersupply,etc. •Widespectrumfrom1.6Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HZ12A1	文件：45.1 Kbytes Page：8 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply Features •Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mWareideallysuitedforstabilizedpowersupply,etc. •Widespectrumfrom1.6Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication.	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
HZ12A1	文件：385.79 Kbytes Page：4 Pages	Glass-EncapsulateDiodes	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司	HOTTECH
HZS12A1	文件：56.36 Kbytes Page：7 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HZU12A1L	文件：77.04 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforLowNoiseApplication	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
MDJST-12A1	文件：128.86 Kbytes Page：3 Pages	LightningSurgeProtectorsforElectronicsEquipmentM-RESTER	MSYSTEMM-System Co., Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
RKZ12A1KD	文件：100.22 Kbytes Page：8 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply Features •Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mW. •Widespectrumfrom1.9Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication. •LLDPackageissuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
X-NUCLEO-IHM12A1	文件：292.84 Kbytes Page：4 Pages	LowvoltagedualbrushDCmotordriverexpansionboardbasedonSTSPIN240forSTM32Nucleo	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

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