| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市吉铭电子科技有限公司2年
留言
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SIEMENS/西门子TO220 |
800000 |
22+ |
原装正品 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌TO 3P |
160310 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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7793 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
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INFINEONTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
18500 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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上海意淼电子科技有限公司8年
留言
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SIEMENSNA |
6500 |
23+ |
全新原装假一赔十 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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INFINEON/英飞凌NA |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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INFINEONTO-220 |
55 |
05+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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INFINEONTO-220 |
6528 |
2016+ |
房间原装进口现货假一赔十 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Infineon TechnologiesTO2203 |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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SIEMENS/西门子TO220 |
1574 |
21+ |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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INFINEONDIP |
5600 |
20+/21+ |
全新原装进口价格优惠 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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INFINE0NTO-220-3 |
90000 |
20+ |
全新原装正品/库存充足 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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INFINEONTO-220 |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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INFINEONTO220-3 |
4182 |
23+ |
绝对现货库存 |
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深圳市鼎盛源芯科技有限公司6年
留言
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harris原厂封装 |
10000 |
16+ |
全新原装正品,代理优势渠道供应,欢迎来电咨询 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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INFINEONTO220-3 |
8890 |
23+ |
价格优势、原装现货、客户至上。欢迎广大客户来电查询 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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InfineonTO-220 |
3265 |
21+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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INTESILTO-220 |
10000 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
BUZ32采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
BUZ32图片
BUZ32H价格
BUZ32H价格：￥4.7443品牌：Infineon
生产厂家品牌为Infineon的BUZ32H多少钱，想知道BUZ32H价格是多少？参考价：￥4.7443。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，BUZ32H批发价格及采购报价，BUZ32H销售排行榜及行情走势，BUZ32H报价。
BUZ32中文资料Alldatasheet PDF
更多BUZ32功能描述:MOSFET N-CH 200V 9.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BUZ32 E3045A功能描述:MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BUZ32 H功能描述:MOSFET N-Channel 200V Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BUZ32 H3045A功能描述:MOSFET N-Channel 200V Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BUZ32 L3045A功能描述:MOSFET N-CH 200V 9.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BUZ323制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
BUZ325制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Power Transistor
BUZ326制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Power Transistor(N channel Enhancement mode Avalanche-rated)
BUZ32CHIP功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9.5A I(D) | CHIP
BUZ32E3045ANT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R
