选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO 220 |
155788 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市力拓辉电子有限公司13年
留言
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FSCTO-220 |
50000 |
21+ |
全新原装 鄙视假货15118075546 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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ON/安森美TO-220 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市鸿昌盛电子科技有限公司12年
留言
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130 |
2015+ |
公司现货库存 |
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深圳市天芯威科技有限公司1年
留言
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ON/安森美N/A |
25850 |
23+ |
新到现货,只有原装 |
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深圳市伟胜微电子有限公司5年
留言
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FSCTO220 |
999999 |
18+ |
进口全新原装现货 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
1350 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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FAIRCHITO220F |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳深宇韬电子科技有限公司1年
留言
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INFINEONTSSOP14 |
13500 |
23+ |
优势原装现货假一赔十 |
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深圳市英科美电子有限公司9年
留言
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FSCTO-220 |
16800 |
2021+ |
全新原装正品,自家优势现货 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
85900 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市弘为电子有限公司9年
留言
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STMicroelectronicsNA |
30000 |
22+ |
100%全新原装 假一赔十 |
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深圳市富利微电子科技有限公司8年
留言
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ON/安森美TO-220-3 |
30000 |
23+ |
原装正品公司现货,假一赔十! |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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ON/安森美TO-220-3 |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市瑞卓芯科技有限公司10年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
9000 |
22+ |
原装正品 |
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深圳市锦喆鸿电子有限公司5年
留言
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FAIRCHITO-220 |
12588 |
21+ |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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FSCTO-220 |
6000 |
2018+ |
全新原装正品现货,假一赔佰 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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STTO-220 |
18689 |
23+ |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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PHISOT220 |
2987 |
22+ |
只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电! |
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深圳市纳立科技有限公司3年
留言
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1983 |
三年内 |
纳立只做原装正品13590203865 |
BUT11A采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
BUT11A图片
BUT11A价格
BUT11A价格:¥2.3940品牌:Fairchild
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BUT11A中文资料Alldatasheet PDF
更多BUT11A功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BUT11A,127功能描述:两极晶体管 - BJT BUT11A/SOT78/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BUT11A/B功能描述:TRANSISTOR HOCHSPANNUNG BIPOLAR
BUT11A_04制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
BUT11AF制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR SOT-186 NP 1KV 5A 40W BCE
BUT11AF/D功能描述:Full Pak High Voltage NPN Power Transistor
BUT11AFI功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220
BUT11AFTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BUT11AI制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor
BUT11AI,127功能描述:两极晶体管 - BJT BUT11AI/SOT78/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号:
BUT11A
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
1.5V @ 500mA,2.5A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
1mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
10 @ 500mA,5V
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
TO-220
- 描述:
TRANS NPN 450V 5A TO220