| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市云美电子科技有限公司1年
留言
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ISC/固电TO-3P |
4873 |
22+ |
只做原装进口现货 |
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深圳市雅芯通科技有限公司1年
深圳市雅芯通科技有限公司
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INFINEON/英飞凌N/A |
5000 |
24+ |
只做正品原装现货 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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12000 |
22+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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西门子TO-218AB |
77 |
绝对全新原装强调只做全新原装现 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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INFTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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INFINEONTO-262 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO247 |
8668 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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TI/德州仪器QFN16 |
6852 |
1922+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市莱克讯科技有限公司7年
留言
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GSSMA |
48520 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)标准封装 |
7053 |
23+ |
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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INFINEONTO220TO263 |
10500 |
19+ |
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无锡固电半导体股份有限公司4年
留言
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iscTO-247 |
800 |
2024 |
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国产品牌isc,可替代原装 |
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深圳市浩宇伟业电子有限公司12年
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infineon |
35000 |
22+ |
OEM工厂,中国区10年优质供应商! |
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深圳市鑫炜纳电子有限公司6年
留言
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infineon/英飞凌TO-220 |
7600 |
2022+ |
原厂原装,假一罚十 |
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深圳好佳好科技有限公司13年
留言
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InfineonTO-218 |
12000 |
1305+ |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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INFINEONNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市华芯源电子有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-247 |
89974 |
22+ |
终端免费提供样品 可开13%增值税发票 |
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深圳市力仕科电子科技有限公司1年
留言
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infineon/英飞凌TO-220 |
6000 |
19+ |
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深圳市乐峰达科技有限公司1年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
8000 |
22+ |
原厂原装,实单加微信 |
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深圳市芯城未来科技有限公司1年
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infineon/英飞凌 |
6000 |
TO-220 |
BUP采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
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BUP213资讯
BUP213
深圳市鑫欧美电子有限公司，0755-82708963张小姐
BUP213中文资料Alldatasheet PDF
更多BUP212功能描述:IGBT 晶体管 IGBT 2200V, 22A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
BUP212 E3045A功能描述:IGBT 晶体管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
BUP212E3045ANT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 22A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R
BUP213功能描述:IGBT 晶体管 IGBT CHIP NPT TECH 1200V 15A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
BUP213 E3045A功能描述:IGBT 晶体管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
BUP213E3045ANT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 32A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R
BUP22A制造商:ISC 制造商全称:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon NPN Power Transistor
BUP22B制造商:ISC 制造商全称:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon NPN Power Transistor
BUP22BF制造商:ISC 制造商全称:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon NPN Power Transistor
BUP23B制造商:ISC 制造商全称:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon NPN Power Transistors
