选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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ON/安森美TO-220 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
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MON |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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上海意淼电子科技有限公司8年
留言
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MOTNA |
5000 |
23+ |
全新原装假一赔十 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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MOTOLORTO-220 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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MOTOLORATO-220 |
2973 |
00+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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STTO-220 |
626 |
17+ |
原装现货热卖 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
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STTO-220 |
20000 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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ST/意法NA/ |
11918 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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MOTOLORATO-220 |
2973 |
21+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市星辰微电科技有限公司3年
留言
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ONTO-220-3 |
50000 |
22+ |
ON二三极管全系列在售 |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
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MOTOROLA400V5A75W |
56520 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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MOTOLORA |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市莱克讯科技有限公司6年
留言
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MOTTO-220 |
65895 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
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MOTQFP |
3200 |
23+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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MOT |
1541 |
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深圳市宏世佳电子科技有限公司14年
留言
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MOTOROLATO220 |
4835 |
2023+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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标准国际(香港)有限公司16年
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80 |
9201 |
公司优势库存 热卖中! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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MOTOROLA/摩托罗拉TO-220 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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MOTOLORATO-220 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市新力诚科技有限公司9年
留言
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MOTOROLA. |
5243 |
2020+ |
全新原装现货库存,超低价清仓! |
BUL45采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
BUL45图片
BUL45D2G价格
BUL45D2G价格:¥2.6249品牌:ON
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BUL45中文资料Alldatasheet PDF
更多BUL45功能描述:两极晶体管 - BJT 5A 400V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BUL45功能描述:两极晶体管 - BJT 5A 400V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BUL45/D功能描述:NPN Silicon Power Transistor
BUL45_06制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:NPN Silicon Power Transistor
BUL45A功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB
BUL45D2功能描述:两极晶体管 - BJT 5A 400V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BUL45D2/D功能描述:High Speed, High Gain Bipolar NPN Power Transistor with Integrated Collector-Emitter Diode and Built-in Efficient Antisaturation Network
BUL45D2G功能描述:两极晶体管 - BJT 5A 400V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BUL45F制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTOR 5.0 AMPERES 700 VOLTS 35 and 75 WATTS
BUL45G功能描述:两极晶体管 - BJT 5A 400V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号:
BUL45
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 系列:
SWITCHMODE™
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
400mV @ 400mA,2A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
14 @ 300mA,5V
- 频率 - 跃迁:
12MHz
- 工作温度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
TO-220
- 描述:
TRANS NPN 400V 5A TO220
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性质:
开关管 (S)_功率放大 (L)
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
400V
- 最大电流允许值:
5A
- 最大工作频率:
20MHZ
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
- 最大耗散功率:
70W
- 放大倍数:
- 图片代号:
B-10
- vtest:
400
- htest:
20000000
- atest:
5
- wtest:
70