选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳兆威电子有限公司5年
留言
|
STTO220 |
35250 |
15+ |
原装进口现货,假一罚十 |
|||
|
深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
|
ST/意法TO-2-3 |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
|
深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
|
STTO-220 |
50000 |
23+ |
全新原装现货特价销售,欢迎来电查询 |
|||
|
深圳市力拓辉电子有限公司13年
留言
|
STTO-92 |
50000 |
21+ |
全新原装 鄙视假货15118075546 |
|||
|
深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
|
ST/意法TO-220 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
|||
|
深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
|
ST/意法半导体TO-220-3 |
6006 |
22+ |
原装正品现货 可开增值税发票 |
|||
|
深圳市柏芯特电子科技有限公司1年
留言
|
ST/意法半导体TO-220-3 |
6000 |
2023 |
|
公司原装现货/支持实单 |
||
|
深圳市智创诚芯电子科技有限公司4年
留言
|
ST/意法货真价实,假一罚十 |
25000 |
TO-220 |
||||
|
深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
|
ST/意法TO-220-3 |
34 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
|||
|
深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
|
ST/意法TO220 |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
|||
|
深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
|
ST专家TO-220 |
6800 |
2021+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
|||
|
深圳市天诺拓展科技有限公司1年
留言
|
STTO-220-3 |
34 |
全新原装 支持BOM配单 |
||||
|
深圳市振宏微科技有限公司2年
留言
|
STTO-220 |
16900 |
23+ |
支持样品,原装现货,提供技术支持! |
|||
|
深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
|
STTO-220 |
25000 |
22+ |
绝对全新原装现货 |
|||
|
深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
|
ST/意法NA/ |
4130 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
|
深圳市力拓辉电子有限公司13年
留言
|
5000 |
22+ |
|
||||
|
深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
|
NULLTO263 |
3000 |
23+ |
专业优势供应 |
|||
|
深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
|
ST/意法TO-220 |
99031 |
22+ |
||||
|
深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
|
STTO220 |
3526 |
2015+ |
原装原包假一赔十 |
|||
|
深圳市弘为电子有限公司9年
留言
|
ST原厂封装 |
20000 |
16+ |
原装现货假一罚十 |
BUL128采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
BUL128图片
BUL128资讯
BUL128中文资料Alldatasheet PDF
更多BUL128功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BUL128_01制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
BUL128D制造商:TGS 制造商全称:Tiger Electronic Co.,Ltd 功能描述:HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHINGNPN POWER TRANSISTOR
BUL128D/-B制造商:STMicroelectronics 功能描述:Bulk
BUL128D-A功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220AB
BUL128D-B功能描述:TRANS NPN HV FAST 400V TO-220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
BUL128D-B_05制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
BUL128DFP功能描述:IGBT 晶体管 HIGH VOLTAGE NPN POWER RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
BUL128FP功能描述:两极晶体管 - BJT Hi Vltg Fast Swtchng NPN Pwr Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BUL128FP_01制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
产品属性
- 产品编号:
BUL128
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
500mV @ 1A,4A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
14 @ 2A,5V
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
TO-220
- 描述:
TRANS NPN 400V 4A TO220
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-N+Di
- 性质:
开关管 (S)_功率放大 (L)
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
700V
- 最大电流允许值:
4A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
BUF620,BUH50,
- 最大耗散功率:
70W
- 放大倍数:
- 图片代号:
B-10
- vtest:
700
- htest:
999900
- atest:
4
- wtest:
70