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深圳市恒佳微电子有限公司

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BSS84PWH6327

INFINEON/英飞凌SOT323

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中天科工半导体(深圳)有限公司

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INFINEONNA

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热卖原装进口

深圳市勤思达科技有限公司

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INFINEON/英飞凌SOT-23

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勤思达 只做原装正品 现货供应

深圳市永贝尔科技有限公司

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Infineon(英飞凌)SOT-23

4550

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全新原装正品

深圳市亿智腾科技有限公司

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INFINEON/英飞凌SOT-23

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2021+

原装现货/15年行业经验欢迎询价

深圳市天芯威科技有限公司

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Infineon(英飞凌)SOT23-3

25900

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新到现货,只有原装

深圳市科恒伟业电子有限公司

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BSS84P

INFINEON/英飞凌SOT-23

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只做原装正品现货!或订货假一赔十!

深圳市坤融电子科技有限公司

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INFINEON/英飞凌SOT-23

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只做原装进口 免费送样!!

深圳市振宏微科技有限公司

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Infineon(英飞凌)NA

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原装正品!假一罚十!

深圳市汇莱威科技有限公司

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INFINEON/英飞凌SOT23

7906200

贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司

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Infineon(英飞凌)N/A

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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

深圳市亚泰盈科电子有限公司

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BSS84P

INFINEONSOT-23

30216

提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S

深圳市河锋鑫科技有限公司

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BSS84P

INFINEON/英飞凌SOT-23

120000

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原装正品 可含税交易

深圳市创新迹电子有限公司

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BSS84P

INFINEON/英飞凌SOT-23

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原装现货,随时欢迎询价

深圳市环球伟业电子有限公司

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BSS84PH6327

TO-220

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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票

中天科工半导体(深圳)有限公司

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BSS84PH6327

INFINEONNA

36621

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热卖原装进口

深圳市恒达亿科技有限公司

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INFINEONSOT23

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全新原装现货、诚信经营!

深圳市金启宁科技有限公司

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INFINEON/英飞凌SOT23

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深圳市汇创佳电子科技有限公司

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深圳市盈腾兴电子科技有限公司

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BSS84P制造商:Infineon Technologies 功能描述:Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET P SOT-23 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET, P, SOT-23 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:P CH MOSFET, -60V, 170mA, SOT-23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:170mA; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):8ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1.5V ;RoHS Compliant: Yes 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET P-Channel 60V 0.17A SOT23

BSS84P E6433功能描述:MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

BSS84P H6327功能描述:MOSFET P-KANAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

BSS84P L6327功能描述:MOSFET P-CH 60V 0.17A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

BSS84P L6433功能描述:MOSFET SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

BSS84P-E6327功能描述:MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

BSS84PE6327BTMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23

BSS84PE6327T制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:P-CHANNEL SOT-23 60V LL 10

BSS84PE6327XT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

BSS84PE6433XT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R