选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市振宏微科技有限公司2年
留言
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7000 |
23+ |
原装正品!假一罚十! |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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12000 |
22+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT23 |
7906200 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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INFINEON/英飞凌SOT-23 |
300000 |
19+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
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Infineon(英飞凌)SOT-23 |
4550 |
2023+ |
全新原装正品 |
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深圳市麒裕半导体科技有限公司1年
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NFINEON/英飞凌SOT-23 |
3000 |
全新年份 |
性价比之王一站式配单,可靠、高效、价格好 |
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深圳市科创腾达科技有限公司3年
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NANA |
99999999 |
23+ |
原装正品现货/订货,价格优惠可开票 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
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9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市诚利顺电子科技有限公司17年
留言
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INFINEONSOT23 |
6500 |
22+ |
十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售! |
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深圳市天芯威科技有限公司1年
留言
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Infineon(英飞凌)SOT-23 |
25900 |
23+ |
新到现货,只有原装 |
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深圳市振宏微科技有限公司2年
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7000 |
23+ |
原装正品!假一罚十! |
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深圳市英博尔电子有限公司4年
留言
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INFINEONV3QFN24 |
16500 |
2年内 |
英博尔原装优质现货订货渠道商 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
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36000 |
21+ |
只做原装,假一罚十 |
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深圳市中正中芯电子科技有限公司1年
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HOLTEKsot |
7500 |
22+ |
原厂批价一手货源,市场优惠价格 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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13048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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INFINEONSOT-23 |
12000 |
22+ |
原装正品,实单请联系 |
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深圳市朱博士电子科技有限公司14年
留言
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INFINEON原厂封装 |
1442900 |
21+ |
原装正品,渠道可追溯 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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12000 |
22+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT23 |
7906200 |
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深圳市吉中创电子科技有限公司5年
留言
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INFINEONNA |
1442900 |
23+ |
公司现货原装 |
BSS83P采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
BSS83P图片
BSS83PH6327价格
BSS83PH6327价格:¥0.2831品牌:Infineon
生产厂家品牌为Infineon的BSS83PH6327多少钱,想知道BSS83PH6327价格是多少?参考价:¥0.2831。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,BSS83PH6327批发价格及采购报价,BSS83PH6327销售排行榜及行情走势,BSS83PH6327报价。
BSS83PH6327中文资料Alldatasheet PDF
更多BSS83P制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET P-Channel 60V 0.33A Logic SOT23
BSS83P H6327功能描述:MOSFET P-KANAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSS83P_06制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Small-Signal-Transistor
BSS83PE6327功能描述:MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BSS83PE6327T制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:P-CHANNEL LL -60V 2000 MOHM
BSS83PH6327制造商:Infineon Technologies 功能描述:Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:-60V,-0.33A,P Channel Power MOSFET
BSS83PH6327XT功能描述:MOSFET SIPMOS Small Signal Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSS83PH6327XTSA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:P-KANAL - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET P-CH 60V 330mA SOT23
BSS83PL6327功能描述:MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BSS83PL6327HTSA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23