| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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9000 |
21+ |
只做原装,假一罚十 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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NEXPERIA/安世SMD |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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NXP/恩智浦NA |
12000 |
2021+ |
勤思达 只做原装正品 现货供应 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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NXP/恩智浦SOT23 |
7906200 |
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深圳市向鸿伟业电子有限公司12年
留言
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FAIRCHILD/仙童SOT-23 |
5209 |
22++ |
原装正品!诚信经营,实单价优! |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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NXPSOT-23 |
8900 |
16+ |
全新原装现货,假一罚十 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILDSOT-23 |
7724 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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NXP/恩智浦NA |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市广弘电子有限公司4年
留言
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FAIRCHILD/仙童SOT-23 |
5500 |
20+ |
代理库存,房间现货,有挂就是现货 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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ON/安森美NA |
15000 |
21+ |
只做原装,假一罚十 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
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NXPSOT23 |
9850 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市吉华创芯电子科技有限公司2年
留言
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ONSOT-23 |
7500 |
22+ |
自家仓库现货.原装开专票 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美SOT23 |
7906200 |
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深圳市向鸿伟业电子有限公司12年
留言
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ON/安森美SOT-23 |
5209 |
22++ |
原装正品!诚信经营,实单价优! |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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ON/安森美SOT-23 |
78550 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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ONSOT-23 |
7177 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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ON/安森美SOT-23 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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ONNN/A |
45000 |
23+ |
原装原装原装哈 |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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NEXPERIA/安世NA |
5750 |
22+ |
可订货,请确认 |
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深圳市科翼源电子有限公司1年
留言
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FAICHILDSOT23 |
11500 |
23+ |
原厂原装正品 |
BSS64采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
BSS64图片
BSS64LT1G价格
BSS64LT1G价格：￥0.1395品牌：ONSemi
生产厂家品牌为ONSemi的BSS64LT1G多少钱，想知道BSS64LT1G价格是多少？参考价：￥0.1395。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，BSS64LT1G批发价格及采购报价，BSS64LT1G销售排行榜及行情走势，BSS64LT1G报价。
BSS64中文资料Alldatasheet PDF
更多BSS64功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BSS64,215功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS HV TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BSS64_Q功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BSS64E6327制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
BSS64L功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23
BSS64LT1功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 120V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BSS64LT1/D功能描述:Driver Transistor NPN
BSS64LT1D制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Driver Transistor
BSS64LT1G功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 120V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BSS64R功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236
产品属性
- 产品编号：
BSS64
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
200mV @ 15mA，50mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 10mA，1V
- 频率 - 跃迁：
60MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3
- 描述：
TRANS NPN 80V 0.2A SOT23-3
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
表面帖装型 （SMD）_通用型 （Uni）
- 封装形式：
贴片封装
- 极限工作电压：
120V
- 最大电流允许值：
0.1A
- 最大工作频率：
100MHZ
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BCX41,2SC3143,2SC3340,2SC3360,3DG180J,
- 最大耗散功率：
- 放大倍数：
- 图片代号：
H-15
- vtest：
120
- htest：
100000000
- atest：
.1
- wtest：
0
